[发明专利]一种用于血氧浓度监测的传感集成电路

权利要求书

1.一种用于血氧浓度监测的传感集成电路，其特征在于：所述集成电路包括光电传感单元、复位校准单元、状态控制单元、第一电流提取放大单元、第二电流提取放大单元、电流-波长转换单元和电流-光强转换单元

所述光电传感单元中，第一输出端、第二输出端分别与所述状态控制单元的第二输入端、第一输入端相连；

所述复位校准单元中，输入端Iref输入参考电流，第一输出端、第二输出端、第三输出端分别与状态控制单元的第三输入端、第四输入端、第五输入端相连；

所述状态控制单元中，复位输入端RST输入复位信号，第一输入端、第二输入端分别连所述光电传感单元的第二输出端、第一输出端，第三输入端、第四输入端、第五输入端分别连所述复位校准单元的第一输出端、第二输出端、第三输出端，第一输出端连所述第一电流提取放大单元的输入端，第二输出端、第三输出端分别连所述第二电流提取放大单元的第一输入端、第二输入端，第四输出端连所述电流-光强转换单元的输入端；

所述第一电流提取放大单元中，输入端连所述状态控制单元的第一输出端，第一输出端连所述电流-光强转换单元的输入端，第二输出端连所述电流-波长转换单元的第一输入端；

所述第二电流提取放大单元中，第一输入端、第二输入端分别连所述状态控制单元的第二输出端、第三输出端，输出端连所述电流-波长转换单元的第二输入端；

所述电流-波长转换单元中，第一输入端连所述第一电流提取放大单元的第二输出端，第二输入端连所述第二电流提取放大单元的输出端，第三输入端Vbias输入偏置电压，输出端Lenth输出与波长相关的电压信号；

所述电流-光强转换单中，输入端连所述第一电流提取放大单元第一输出端和状态控制单元的第四输出端，输出端输出与光强度相关的电压信号。

2.如权利要求1所述的用于血氧浓度监测的传感集成电路，其特征在于：所述光电传感单元由CMOS双PN结光电二极管组成，分别为浅PN结光电二极管D1和深PN结光电二极管D2；所述浅PN结光电二极管D1与所述深PN结光电二极管D2共阴极连接，并且阴极作为该光电传感单元的第一输出端，所述浅PN结光电二极管D1阳极作为该光电传感单元的第二输出端，所述深PN结光电二极管D2阳极接地。

3.如权利要求1或2所述的用于血氧浓度监测的传感集成电路，其特征在于：所述复位校准单元包括NMOS管N1、N2、N3、N4、N5、N6和PMOS管P1、P2、P3、P4、P5、P6；所述NMOS管N1栅漏短接，漏极作为复位校准单元的输入端Iref，栅极连所述NMOS管N3栅极，源极连所述NMOS管N2漏极，所述NMOS管N2栅漏短接，栅极连所述NMOS管N4栅极，源极接地，所述NMOS管N3漏极连所述PMOS管P2漏极，所述NMOS管N3栅极连所述NMOS管N5栅极，源极接所述NMOS管N4漏极，所述NMOS管N4栅极连所述NMOS管N6栅极，源极接地，所述NMOS管N5栅极作为复位校准单元的第三输出端，源极接所述NMOS管N6漏极，所述NMOS管N6源极接地，所述PMOS管P1源极接电源VDD，栅漏短接且连接所述PMOS管P3栅极、所述PMOS管P5和所述PMOS管P2源极，所述PMOS管P2栅漏短接且连接所述PMOS管P4栅极和所述PMOS管P6栅极，所述PMOS管P3源极接地，漏极接所述PMOS管P4源极，所述PMOS管P4漏极作为复位校准单元的第一输出端b，所述PMOS管P5源极接电源VDD，漏极接所述PMOS管P6源极，所述PMOS管P6漏极作为复位校准单元的第二输出端。