[发明专利]护膜在审
申请号: | 201710545410.8 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN108873601A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 游秋山;许倍诚;李信昌;林宜彦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 护膜 止回阀 垫片 薄膜 表面界定 使用寿命 掩膜 配置 外部 延伸 配合 | ||
一种护膜包括框架、薄膜以及垫片。所述框架包括止回阀,其中所述止回阀被配置成允许气体从所述护膜的内部流至所述护膜的外部。所述框架的底表面界定出凹槽。所述薄膜延伸跨越所述框架。所述垫片被配置成配合在所述凹槽中。本发明实施例的护膜及使用所述护膜的方法可延长掩膜的使用寿命。
技术领域
本发明实施例涉及一种护膜及使用护膜的方法。
背景技术
护膜(pellicle)用于保护掩膜(光掩膜)(也称作掩膜板(reticle))免受颗粒影响,以减少在将图案自掩膜转移到晶片的过程中的错误。护膜包括贴合到掩膜的框架;以及跨越框架延伸的薄膜。在某些方式中,使用粘合剂将框架牢固固定到掩膜。
在某些方式中,护膜在光刻工艺(photolithography process)期间保持在掩膜上。当护膜在光刻工艺期间保持在掩膜上时,通过薄膜的光的强度会因入射在所述薄膜上的光的吸收及散射而降低。在某些方式中,在例如极紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻工艺等光刻工艺之前,从掩膜移除护膜。使用清洁工艺(cleaning process)来移除用于将框架牢固固定到掩膜的粘合剂。
发明内容
本发明实施例是针对一种护膜及使用护膜的方法,其可延长所述掩膜的使用寿命。
在某些实施例中,一种护膜包括框架、薄膜以及垫片。所述框架包括止回阀,其中所述止回阀被配置成允许气体从所述护膜的内部流至所述护膜的外部,且所述框架的底表面界定出凹槽。薄膜延伸跨越所述框架。垫片被配置成配合在所述凹槽内。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本发明实施例的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1是根据某些实施例的光刻机的示意图。
图2A是根据某些实施例的从掩膜分离的护膜的剖视图。
图2B是根据某些实施例的牢固固定到掩膜的护膜的剖视图。
图3A是根据某些实施例在允许气体流动的配置中护膜的止回阀的剖视图。
图3B是根据某些实施例在阻止气体流动的配置中护膜的止回阀的剖视图。
图4是根据某些实施例的牢固固定到掩膜的护膜的剖视图。
图5是根据某些实施例的从掩膜分离的护膜的剖视图。
图6A、图6B、及图6C是根据某些实施例的用于护膜的卸除工艺(demountingprocess)的剖视图。
图7是根据某些实施例的使用护膜的方法的流程图。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件、值、操作、材料、排列等的具体实例以简化本发明实施例。当然,这些仅为实例且不旨在进行限制。预期存在其他组件、值、操作、材料、排列等。举例来说,以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例,且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外,本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的,而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
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