[发明专利]一种综合保护电路、综合保护装置及塑封装置

说明书

本发明公开了一种综合保护电路、综合保护装置及塑封装置，所述综合保护电路包括输入保护电路、过温保护电路和过流短路保护电路；输入保护电路的输入端连接IGBT电力半导体器件的输入控制电压，输入保护电路的输出端连接过温保护电路的输入端；过温保护电路的输出端连接过流短路保护电路的输入端；过流短路保护电路的输出端连接IGBT电力半导体器件的输入端。上述技术方案具有如下优点或有益效果：真正实现不依靠外围电路，直接从IGBT芯片封装成的器件完成综合精准保护，提高了IGBT电力半导体器件的功率密度和可靠性。

技术领域

本发明涉及IGBT电力半导体器件领域，尤其涉及一种综合保护电路、综合保护装置及塑封装置。

背景技术

目前IGBT电力半导体器件失效、损坏主要形式有过温、过流和短路。造成IGBT电力半导体器件过温损坏的是器件的热疲劳现象，原因有散热设计不当，驱动电路设计不合理，外界负载发生的变化等。形成IGBT电力半导体器件过流、短路损坏的原因是负载绝缘不良，外界杂物引起的桥路短路和感性负载发生的关断峰值电压等。以上的失效损坏形式已经包含了IGBT电力半导体器件的95％以上的失效损坏范围。

特别需要注意的是IGBT电力半导体器件在组成多芯片联合工作，如逆变、变频，交-直-交3电平PWM大容量变频传动装置时，只要有一个IGBT电力半导体器件损坏，就会引起整体模块的损坏。

IGBT电力半导体器件必定是长期、高可靠工作，以确保安全。当前一般都在电力半导体器件外围设置一些驱动电路，包括各种保护电路。但此类驱动电路或者专业IC驱动器并不与IGBT电力半导体器件在同一物理环境下工作。因此对器件所产生的各种失效损坏感应速度，综合处理能力等存在不一致性。

发明内容

本发明针对现有技术的局限性，提供一种综合保护电路、综合保护装置及塑封装置，应用于IGBT电力半导体器件，旨在真正实现不依靠外围电路，直接从IGBT芯片封装成的器件完成综合精准保护，提高IGBT电力半导体器件的功率密度和可靠性。

上述技术方案具体包括：

一种综合保护电路，应用于IGBT电力半导体器件，其中，包括输入保护电路、过温保护电路和过流短路保护电路；

所述输入保护电路的输入端连接所述IGBT电力半导体器件的输入控制电压，所述输入保护电路的输出端连接所述过温保护电路的输入端；

所述过温保护电路的输出端连接所述过流短路保护电路的输入端；

所述过流短路保护电路的输出端连接所述IGBT电力半导体器件的输入端；

所述输入保护电路用于保护所述IGBT电力半导体器件的所述输入控制电压；

所述过温保护电路用于避免所述IGBT电力半导体器件的工作结温快速上升；

所述过流短路电路用于使所述IGBT电力半导体器件在出现过流或短路现象时不被损坏。

较佳的，上述综合保护电路中，所述输入保护电路包括；

P沟道场效应管，所述P沟道场效应管的漏极连接所述输入保护电路的所述输入端，源极连接所述输入保护电路的所述输出端，栅极连接一第一节点；

所述N沟道场效应管的漏极连接所述输入保护电路的所述输入端，源极连接所述输入保护电路的所述输出端；

第一电阻，连接在所述输入保护电路的所述输入端和所述第一节点之间；

第二电阻，连接在所述输入保护电路的所述输出端和第一节点之间。

较佳的，上述综合保护电路中，所述过温保护电路包括：

负温度传感器，一端连接所述输入保护电路的所述输出端，另一端连接一第二节点；