[发明专利]基准电压发生器电路和电子系统

权利要求书

1.一种基准电压发生器电路，包括：

电流发生器电路，所述电流发生器电路被配置成用于生成与绝对温度成比例的(PTAT)电流以及与绝对温度互补的(CTAT)电压；

分压器电路，所述分压器电路被配置成用于对所述CTAT电压进行分压以在第一节点处生成经分压的CTAT电压；

电阻器，所述电阻器连接在第二节点与所述第一节点之间；以及

输出电流电路，所述输出电流电路被配置成用于从所述PTAT电流中生成拉PTAT电流和灌PTAT电流，其中，所述拉PTAT电流与所述灌PTAT电流是相等的，并且其中，所述拉PTAT电流被施加到所述第二节点并且所述灌PTAT电流被施加到所述第一节点；

其中，所述第二节点处的电压为分数带隙基准电压，所述分数带隙基准电压等于所述经分压的CTAT电压与所述电阻器两端的与所述PTAT电流成比例的电压降之和。

2.如权利要求1所述的基准电压发生器电路，其中，所述分压器电路将所述CTAT电压除以整数值N，并且其中，所述分数带隙基准电压等于带隙电压除以N。

3.如权利要求2所述的基准电压发生器电路，其中，所述电阻器的电阻值被设置为所述整数值N的函数。

4.如权利要求3所述的基准电压发生器电路，

其中，所述电阻器具有第二电阻值，并且在所述电阻器两端出现PTAT电压降以被加到所述经分压的CTAT电压上从而形成所述分数带隙基准电压，以及

其中，所述电流发生器电路包括具有第一电阻值的第一电阻器并且所述PTAT电流的幅值被设置为所述第一电阻值的函数。

5.如权利要求1所述的基准电压发生器电路，其中，所述输出电流电路包括：

第一电流镜电路，所述第一电流镜电路被配置成用于镜像所述PTAT电流以生成所述拉PTAT电流和输出电流；以及

第二电流镜电路，所述第二电流镜电路被配置成用于镜像所述输出电流以生成所述灌PTAT电流。

6.如权利要求1所述的基准电压发生器电路，其中，所述分压器电路包括：

输入晶体管，所述输入晶体管具有被耦合成用于接收所述CTAT电压的栅极端子；以及

二极管接法晶体管，所述二极管接法晶体管的源极-漏极路径与所述输入晶体管的源极-漏极路径串联耦合，其中，所述经分压的CTAT电压在所述二极管接法晶体管的栅极端子处生成。

7.如权利要求6所述的基准电压发生器电路，其中，所述分压器电路进一步包括至少一个另外的二极管接法晶体管，所述至少一个另外的二极管接法晶体管的源极-漏极路径串联耦合在所述输入晶体管与所述二极管接法晶体管之间。

8.如权利要求7所述的基准电压发生器电路，其中，所述分压器电路将所述CTAT电压除以整数值N，并且其中，N等于串联耦合在所述输入晶体管与所述二极管接法晶体管之间的另外的二极管接法晶体管数量加一。

9.一种基准电压发生器电路，包括：

电路，所述电路被配置成用于生成与绝对温度互补的(CTAT)电压以及绝对温度成比例型(PTAT)电流；

输出电流电路，所述输出电流电路被配置成用于从所述PTAT电流中生成从第一节点灌入的灌PTAT电流以及被拉至第二节点的拉PTAT电流，其中，所述灌PTAT电流与所述拉PTAT电流是相等的；

电阻器，所述电阻器直接连接在所述第一节点与所述第二节点之间；以及

分压器电路，所述分压器电路被配置成用于对所述CTAT电压进行分压以生成施加到所述第一节点的经分压的CTAT电压；

其中，所述第二节点处的电压为次带隙基准电压，所述次带隙基准电压等于所述经分压的CTAT电压与所述电阻器两端的与电阻器电流成比例的电压降之和，所述电阻器电流等于所述灌PTAT电流和所述拉PTAT电流。