[发明专利]感测装置

说明书

本发明公开了一种感测装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及感光元件。第一晶体管具有第一栅极、第一漏极与第一源极。第一漏极耦接到第一电源线，并具有凹面，且第一源极对应凹面设置。第二晶体管具有第二源极，耦接到第一栅极。第三晶体管具有第三栅极、第三漏极与第三源极。第三漏极耦接到第一源极，第三源极耦接到数据线，且第三栅极耦接到读取线。感光元件耦接到第一栅极。通过此设计可提升感测装置的信噪比或侦测准确度。

技术领域

本发明涉及一种感测装置，特别是涉及一种以非对称型晶体管作为将信号放大的晶体管的感测装置。

背景技术

随着科技日新月异，感测装置的应用也越来越广，其中以侦测X射线为最受瞩目的应用之一。由于具有低辐射剂量、电子影像成像快速以及影像易于检视、重制、撷取、传送及分析等优点，数字式的感测装置已逐渐取代传统利用底片侦测X射线的方式而成为目前数字医学影像发展的趋势。传统数字式感测装置通常以光电二极管作为其感光元件，用以侦测X射线的能量。由于X射线对人体的伤害是累积的，因此为了避免人体受到过多的X射线照射，降低检测人体的X射线能量是最佳的办法。然而，受限于数字式的感测装置的信噪比(signal to noise ratio,SN ratio)，X射线的能量仍无法有效地减少，因此提升感测装置的信噪比实为业界不断改善的目标。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种感测装置，以提升信噪比或侦测准确度。

本发明的一实施例提供一种感测装置，其包括读取线、数据线、第一电源线以及感测单元。感测单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及感光元件。第一晶体管具有第一栅极、第一漏极与第一源极，其中第一漏极耦接到一第一电源线，第一漏极具有一凹面，第一源极对应凹面设置。第二晶体管具有第二栅极、第二漏极与第二源极，其中第二源极耦接到第一栅极。第三晶体管具有第三栅极、第三漏极与第三源极，其中第三漏极耦接到第一源极，第三源极耦接到数据线，且第三栅极耦接到读取线。感光元件耦接到第一栅极。

本发明的另一实施例提供一种感测装置，其包括读取线、数据线、第一电源线以及感测单元。感测单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及感光元件。第一晶体管具有第一栅极、第一漏极、第一源极以及第一半导体层，其中第一漏极耦接到第一电源线。第二晶体管具有第二栅极、第二漏极、第二源极以及第二半导体层，其中第二源极耦接到第一栅极。第三晶体管具有第三栅极、第三漏极、第三源极以及第三半导体层，其中第三漏极耦接到第一源极，第三源极耦接到数据线，第三栅极耦接到读取线。感光元件耦接到第一栅极。该第一半导体层、该第二半导体层及该第三半导体层至少其中之一包括多晶硅，且至少其中之另一包括氧化物半导体或非晶硅。

本发明的另一实施例提供一种感测装置，其包括读取线、数据线、第一电源线以及感测单元。感测单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及感光元件。第一晶体管具有第一栅极、第一漏极、第一源极以及第一半导体层，其中第一漏极耦接到第一电源线。第二晶体管具有第二栅极、第二漏极、第二源极以及第二半导体层，其中第二源极耦接到第一栅极。第三晶体管具有第三栅极、第三漏极、第三源极以及第三半导体层，其中第三漏极耦接到第一源极，第三源极耦接到数据线，第三栅极耦接到读取线。感光元件耦接到第一栅极。该第一半导体层、该第二半导体层及该第三半导体层至少其中之一包括氧化物半导体。

附图说明

图1所示为本发明第一实施例的感测装置的俯视示意图；

图2所示为本发明第一实施例的单一感测单元、单一数据线与读出电路的电路示意图；

图3所示为本发明另一实施例的单一感测单元的电路示意图；

图4所示为单一感测单元的工作时序示意图；

图5所示为当第一晶体管的第一栅极与第一源极之间的电压差为零时，在不同第一漏极与第一源极之间的电压差的情况下第一源极与第一漏极之间的能阶曲线示意图；