[发明专利]感测装置

权利要求书

1.一种感测装置，其特征在于，包括：

一读取线；

一数据线；

一第一电源线，其中该读取线垂直于该第一电源线；以及

一感测单元，包括：

一第一晶体管，具有一第一栅极、一第一漏极与一第一源极，其中该第一源极沿一方向延伸，该第一漏极耦接到该第一电源线，该第一漏极在该第一晶体管的俯视图上具有一凹面，该第一源极对应该凹面设置，且该第一源极与该凹面沿该方向排列；

一第二晶体管，具有一第二栅极、一第二漏极与一第二源极，其中该第二源极耦接到该第一栅极；

一第三晶体管，具有一第三栅极、一第三漏极与一第三源极，其中该第三漏极耦接到该第一源极，该第三源极耦接到该数据线，且该第三栅极耦接到该读取线；

一感光元件，耦接到该第一栅极；

一第二电源线，该第二漏极耦接到该第二电源线；以及

一偏压线，

其中该感光元件包括一光电二极管，该光电二极管具有一阳极与一阴极，且该阳极耦接到该第一栅极，该阴极耦接到该偏压线，

其中该偏压线所提供的电压大于该第二电源线的电压。

2.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该第二漏极耦接到该第一电源线。

3.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，还包括一重置线，该第二栅极耦接到该重置线。

4.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该凹面具有一凹陷部，于俯视方向上，该第一源极与该凹陷部重迭。

5.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，于俯视方向上，部分该凹面呈弧形。

6.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该第一晶体管另包括一第一半导体层，该第二晶体管另包括一第二半导体层，该第三晶体管另包括一第三半导体层，其中该第一半导体层、该第二半导体层及该第三半导体层的至少其中之一包括多晶硅，且至少其中之另一包括氧化物半导体或非晶硅。

7.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该第一晶体管还包括一第一半导体层，该第二晶体管还包括一第二半导体层，该第三晶体管还包括一第三半导体层，其中该第一半导体层、该第二半导体层及该第三半导体层至少其中之一包括氧化物半导体。

8.一种感测装置，其特征在于，包括：

一读取线；

一数据线；

一第一电源线，其中该读取线垂直于该第一电源线；以及

一感测单元，包括：

一第一晶体管，具有一第一栅极、一第一漏极、一第一源极以及一第一半导体层，其中该第一源极沿一方向延伸，该第一漏极耦接到该第一电源线，该第一漏极在该第一晶体管的俯视图上具有一凹面，该第一源极对应该凹面设置，且该第一源极与该凹面沿该方向排列；

一第二晶体管，具有一第二栅极、一第二漏极、一第二源极以及一第二半导体层，其中该第二源极耦接到该第一栅极；

一第三晶体管，具有一第三栅极、一第三漏极、一第三源极以及一第三半导体层，其中该第三漏极耦接到该第一源极，该第三源极耦接到该数据线，该第三栅极耦接到该读取线；

一感光元件，耦接到该第一栅极；

一第二电源线，该第二漏极耦接到该第二电源线；以及

一偏压线，

其中，该第一半导体层、该第二半导体层及该第三半导体层至少其中之一包括多晶硅，且至少其中之另一包括氧化物半导体或非晶硅，

其中该第二半导体层包括多晶硅，该第一半导体层包括氧化物半导体或多晶硅，且该第三半导体层包括氧化物半导体或非晶硅，

其中该感光元件包括一光电二极管，该光电二极管具有一阳极与一阴极，且该阳极耦接到该第一栅极，该阴极耦接到该偏压线，

其中该偏压线所提供的电压大于该第二电源线的电压。

9.如权利要求8所述的感测装置，其特征在于，该第一半导体层包括多晶硅。

10.如权利要求8所述的感测装置，其特征在于，该第二漏极耦接到该第一电源线。