[发明专利]用于闪存芯片的信号校准方法及闪存控制器

说明书

本申请提供用于闪存芯片的信号校准方法及闪存控制器，闪存芯片的信号校准方法，其中，包括：获取通过第一校准装置使耦合闪存芯片的第一信号延迟指定周期的第一校准值；第一校准装置依据第一校准值对第一信号进行校准。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，尤其涉及用于闪存芯片的信号校准方法及闪存控制器。

背景技术

ONFI、TOGGLE等接口标准定义操作NAND闪存的方式。在操作NAND闪存时，需要调整采样信号相对于DQ信号的采样窗口，在合适的时机对DQ信号进行采样，以获取理想的数据。在ONFI、TOGGLE等接口标准定义中还定义了DQS、CLK等用于访问NAND闪存的信号。

在向NAND闪存发送编程命令时，闪存控制器向NAND闪存提供DQS信号和DQ信号。闪存控制器需要调整DQS信号的相位，使得DQ信号在DQS信号发生跳变时出现且稳定状态。DQS信号和DS信号之间的理想相位差为1T/4(T是DQS信号的周期)。

在向NAND闪存发送读命令时，NAND闪存向闪存控制器提供DQS与DQ信号。一些情况下，NAND闪存提供的DQS与DQ信号相位相同，闪存控制器需将DQS信号延迟，以使得DQS信号发生跳变时，DQ信号出现且稳定状态。用于读数据的DQS信号与DS信号之间的理想相位差为1T/4。

发明内容

由于集成电路工艺、工作温度、工作电压的变化，DQS信号与DS信号的相位差也发生变化，在闪存控制器中需要跟踪DQ信号的理想采样位置。

闪存控制器可包括多个闪存通道，每个闪存通道提供各自的DQS/CLK信号并连接到各自闪存通道上的闪存芯片。对耦合每个闪存芯片的DQS/CLK信号进行独立的校准值获取，增加了校准过程所需时间，也增加了对闪存通道的占用。

本申请提供用于闪存芯片的信号校准方法及闪存控制器，以解决现有技术中存在的一个或多个问题。

根据本申请的第一方面，提供了根据本申请第一方面的第一闪存芯片的信号校准方法，其中，包括：获取通过第一校准装置使耦合闪存芯片的第一信号延迟指定周期的第一校准值；第一校准装置依据第一校准值对第一信号进行校准。

根据本申请的第一方面的第一用于闪存芯片的信号校准方法，提供了根据本申请第一方面的第二用于闪存芯片的信号校准方法，其中，依据第一校准值从闪存芯片读出第一数据；根据第一数据是否正确，更新第一校准值。

根据本申请的第一方面的第一或第二用于闪存芯片的信号校准方法，提供了根据本申请第一方面的第三用于闪存芯片的信号校准方法，其中，依据第一校准值从闪存芯片中读出第一数据；根据第一数据是否正确，从多个第一校准值中选出最优的第一校准值。

根据本申请的第一方面的第一至第三用于闪存芯片的信号校准方法之一，提供了根据本申请第一方面的第四用于闪存芯片的信号校准方法，其中，还包括：依据第一校准值获取第二校准值；第二校准装置依据第二校准值对耦合闪存芯片的第二信号进行校准。

根据本申请的第一方面的第一至第四用于闪存芯片的信号校准方法之一，提供了根据本申请第一方面的第五用于闪存芯片的信号校准方法，其中，还包括：获取通过第二校准装置使耦合闪存芯片的第二信号延迟指定周期的第二校准值；记录将第一校准值映射到第二校准值的关联关系。

根据本申请的第一方面的第五用于闪存芯片的信号校准方法，提供了根据本申请第一方面的第六用于闪存芯片的信号校准方法，其中，其特征在于，还包括：记录在多种工作温度和/或工作电压下，将第一校准值映射到第二校准值的关联关系。

根据本申请的第一方面的第四至第六用于闪存芯片的信号校准方法之一，提供了根据本申请第一方面的第七用于闪存芯片的信号校准方法，其中，还包括：依据第二校准值从闪存芯片中读出第二数据；根据第二数据是否正确，更新第二校准值。