[发明专利]调节隔离度的方法、光纤隔离器以及光纤激光器

权利要求书

1.一种调节隔离度的方法，应用于光纤隔离器，所述光纤隔离器的光束隔离结构中设置有磁旋光晶体和半波片，以角度θ表示所述磁旋光晶体的旋光角度，角度θ＝K×λ×B×L，K为所述磁旋光晶体的温度函数，λ为入射至所述磁旋光晶体的e偏振光或o偏振光的波长，B为所述磁旋光晶体所处磁场的磁场强度，L为所述磁旋光晶体在光路方向的长度；以角度β表示所述半波片的旋光角度，转动所述半波片时角度β将改变；

其特征在于，所述磁旋光晶体与所述半波片之间满足以下条件：当所述磁旋光晶体将正向入射的e偏振光和o偏振光的偏振方向正向旋转角度θ时，所述半波片将正向入射的所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋转角度β；当所述半波片将反向入射的e偏振光和o偏振光的偏振方向反向旋转角度β时，所述磁旋光晶体将反向入射的所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋转角度θ；

在角度θ发生变化后，转动所述半波片，使得角度β等于角度θ，此时所述磁旋光晶体与所述半波片对反向光的隔离度最大。

2.根据权利要求1所述调节隔离度的方法，其特征在于，当角度θ减小Ф度，所述光纤隔离器的隔离度降低时，反向转动所述半波片Ф/2度以增加所述光纤隔离器的隔离度；

当角度θ增大Ф度，所述光纤隔离器的隔离度降低时，正向转动所述半波片Ф/2度以增加所述光纤隔离器的隔离度。

3.根据权利要求1所述调节隔离度的方法，其特征在于，当所述磁旋光晶体的温度升高x摄氏度，角度θ减小Ф度，所述光纤隔离器的隔离度降低时，反向转动所述半波片Ф/2度以增加所述光纤隔离器的隔离度；

当所述磁旋光晶体的温度降低x摄氏度，角度θ增大Ф度，所述光纤隔离器的隔离度降低时，正向转动所述半波片Ф/2度以增加所述光纤隔离器的隔离度。

4.根据权利要求2或3所述调节隔离度的方法，其特征在于，所述方法还包括：

所述磁旋光晶体的温度在0℃～60℃时，获取所述磁旋光晶体的角度θ的变化曲线；

根据所述变化曲线，获取所述磁旋光晶体在0℃～60℃内多个温度对应的角度θ；计算相邻两个温度之间Ф/2的值。

5.根据权利要求4所述调节隔离度的方法，其特征在于，在所述光纤隔离器的工作过程中获取所述磁旋光晶体所处环境的温度，以所述磁旋光晶体所处环境的温度代替所述磁旋光晶体的温度。

6.一种光纤隔离器，采用权利要求1至5任意一项所述调节隔离度的方法调节隔离度，其特征在于，包括：多纤准直器结构、至少一个第一光束隔离结构和/或至少一个第二光束隔离结构、第一合束系统或第三聚焦透镜、第一单纤准直器、传能光纤、第二单纤准直器以及第二合束系统或第四聚焦透镜；

其中，所述多纤准直器结构向所述至少一个第一光束隔离结构和/或所述至少一个第二光束隔离结构入射多束正向光；通过所述至少一个第一光束隔离结构和/或所述至少一个第二光束隔离结构的多束正向光由所述第一合束系统和所述第一单纤准直器或者由所述第三聚焦透镜和所述第一单纤准直器耦合至所述传能光纤；通过所述传能光纤的正向光由所述第二单纤准直器输出至所述第二合束系统或所述第四聚焦透镜；所述第二合束系统将正向光扩束和会聚后输出或者所述第四聚焦透镜将正向光聚焦后输出；所述第一光束隔离结构和/或所述第二光束隔离结构中设置有磁旋光晶体和能够转动的半波片。