[发明专利]一种高能量转换率复合含能薄膜桥有效
| 申请号： | 201710506529.4 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107121035B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 蒋洪川;张宇新;赵晓辉;闫裔超;邓新武;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C06C5/06 | 分类号： | C06C5/06;F42C19/08 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高能量 转换率 复合 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种高能量转换率复合含能薄膜桥，从下至上依次包括基片、金属膜桥和含能薄膜层，其特征在于：还包括聚四氟乙烯PTFE薄膜层和二个电极焊盘；
金属膜桥设置在基片之上，其上方直接接触的为一聚四氟乙烯薄膜层；
所述聚四氟乙烯薄膜层最少一层，位于金属膜桥上方；
所述含能薄膜层最少一层，与金属膜桥不直接接触；
不同聚四氟乙烯薄膜层之间不直接接触，结构上通过含能薄膜层隔开；
二个电极焊盘分别与聚四氟乙烯薄膜层和含能薄膜层两端实现电接触，置于金属桥膜之上。
2.如权利要求1所述高能量转换率复合含能薄膜桥，其特征在于：所述含能薄膜层材料选用Al/CuO、Al/Ni、B/Ti或Al/NiO。
3.如权利要求1所述高能量转换率复合含能薄膜桥，其特征在于：所述基片采用陶瓷基片、硅基片或者玻璃基片。
4.如权利要求1所述高能量转换率复合含能薄膜桥，其特征在于：所述金属膜桥的材料选Cu、Au或Pt。
5.如权利要求1所述高能量转换率复合含能薄膜桥，其特征在于：所述电极焊盘的材料选Cu、Au或Ag。
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