[发明专利]四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料，其为中空结构，所述纳米棱柱长1～1.5微米，宽150～250纳米。

2.权利要求1所述的四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料的制备方法，其特征在于包括有以下步骤：

1)将镍钴前驱体称取125mg与0.111g二氧化硒粉末，溶于35ml苯甲醇溶液，在室温下充分搅拌；所述的镍钴前驱体的制备方法是：

a)量取5g聚乙烯吡咯烷酮PVP粉末、质量比例为1:2的1.28g四水合醋酸镍与四水合醋酸钴粉末的混合，溶解于有机溶液中，在室温下充分搅拌；

b)将步骤a)所得溶液在冷凝回流的装置下加热反应；

c)将步骤b)所得产物离心过滤，洗涤所得沉淀物，烘干得到镍钴前驱体；

2)将步骤1)所得溶液转移到反应釜中，加热以进行溶剂热反应；

3)将步骤2)所得产物离心过滤，反复洗涤所得沉淀物，烘干。

3.根据权利要求2所述的四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料的制备方法，其特征在于所述的聚乙烯吡咯烷酮PVP为PVP-K13、PVP-K17或PVP-K30，其中所述的PVP-K13、PVP-K17的MW～10000。

4.根据权利要求2所述的四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料的制备方法，其特征在于步骤b)所述的反应温度为80～90℃，反应时间为3～6小时。

5.根据权利要求2所述的四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料的制备方法，其特征在于步骤2)所述的反应温度为120～160℃，反应时间为8～24小时。

6.权利要求1所述的四硒化二钴镍中空纳米棱柱材料作为锂离子或钠离子电池负极活性材料的应用。