[发明专利]氮化物荧光体的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物荧光体的制造方法，其包括：

准备具有包含选自Ba、Sr、Ca和Mg中的至少一种的第一元素、选自Eu、Ce、Tb和Mn中的至少一种的第二元素、以及Si和N的组成的烧成物；

在-20℃以上且低于150℃的温度下使所述烧成物与含氟物质接触，

所述烧成物具有下述式(I)所示的组成，

(M1_1-yM2_y)₂Si₅N₈ (I)

式(I)中，M1为选自Ba、Sr、Ca和Mg中的至少一种元素，M2为选自Eu、Ce、Tb和Mn中的至少一种元素，y为满足0.001≤y＜0.5的数。

2.根据权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

所述第一元素包含Ba。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

使所述烧成物与含氟物质接触的温度为0℃以上且低于140℃。

4.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

所述氮化物荧光体的氟含量为1质量％以上且10质量％以下。

5.根据权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

所述烧成物具有下述式(II)所示的组成，

(Ba_l-x-yM12_xM2_y)₂Si₅N₈ (II)

式(II)中，M12为选自Sr、Ca和Mg中的至少一种元素，M2为选自Eu、Ce、Tb和Mn中的至少一种元素，X和y分别为满足0.0≤X＜1.0、0.001≤y＜0.5、0.001≤x+y＜1.0的数。

6.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

含氟物质为选自F₂、CHF₃、CF₄、SiF₄和NF₃中的至少一种的氟系气体。

7.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

使所述烧成物在不活泼气体气氛中与所述含氟物质接触。

8.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

所述含氟物质为氟气。

9.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

所述氮化物荧光体的450nm时的反射率为12％以下。