[发明专利]一种同轴线/双脊波导复合魔T在审
申请号: | 201710486151.6 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107317084A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 詹明周;何望栋;李宁晓;刘珂玮;杨涛 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P5/20 | 分类号: | H01P5/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 同轴线 波导 复合 | ||
1.基于同轴-双脊波导复合魔T的功率合成/分配器,所述同轴-双脊波导复合魔T包括三个双脊波导端口:魔T中两个合成臂端口(102)、(103)以及一个E臂端口(104),一个同轴端口:魔T中H臂端口(101),以及魔T内匹配结构(301)。
2.如权利要求1所述的基于同轴-双脊波导复合魔T,其特征在于:所述魔T中合成臂的双脊波导端口(102)、(103)为渐变脊波导,并且脊的高度从臂的端口向中心逐渐增加,使阻抗渐变,从而使反射降低,也使得魔T的带宽进一步增加。
3.如权利要求1所述的基于同轴-双脊波导复合魔T,其特征在于:所述魔T中的H臂端口为同轴端口(101),因而大大减小了魔T尺寸,便于魔T向小型化、集成化发展。并且同轴端口可以直接接入负载,使得隔离端口易于加工装配,同时也增加了魔T中E—H臂的隔离度。
4.如权利要求1所述的基于同轴-双脊波导复合魔T,其特征在于:所述魔T内匹配结构(301)为一个矩形金属膜片,并且该金属膜片正处于魔T的E面,沿合成端口的对称面对称,并未破坏整个魔T的对称性。达到了功分、匹配一体化的效果,使得魔T的匹配结构大大简化,降低了魔T对加工装配的精度要求,也使得该同轴-双脊波导复合魔T具有很好的幅度相位一致性。
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