[发明专利]一种同轴线/双脊波导复合魔T在审

专利信息
申请号: 201710486151.6 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN107317084A 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 詹明周;何望栋;李宁晓;刘珂玮;杨涛 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01P5/20 分类号: H01P5/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种适用于微波/毫米波频率超宽带大功率同轴‑双脊波导复合魔T结构。该同轴‑双脊波导复合魔T包括三个双脊波导端口两合成臂和E臂、一个同轴端口H臂,以及魔T内匹配结构矩形金属谐振片。当魔T中两合成臂端口输入等幅反相的信号时,这两路信号经过魔T中的匹配结构,最后在E臂端口合为一路信号输出,H臂为隔离端口。该发明在H臂使用同轴端口,好处是可以减小魔T体积、增加E—H臂隔离度;两合成臂端口设计成渐变脊波导形式,用来增加魔T带宽、减小信号反射;魔T内的矩形金属膜片可以使功分、匹配一体化,也能降低加工装配难度。该结构尤其适用于微波/毫米波超宽带大功率合成领域。
搜索关键词: 一种 同轴线 波导 复合
【主权项】:
基于同轴‑双脊波导复合魔T的功率合成/分配器,所述同轴‑双脊波导复合魔T包括三个双脊波导端口:魔T中两个合成臂端口(102)、(103)以及一个E臂端口(104),一个同轴端口:魔T中H臂端口(101),以及魔T内匹配结构(301)。
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  • 任纪宁;赵社利 - 南京安尔泰通信科技有限公司
  • 2017-08-23 - 2018-05-01 - H01P5/20
  • 本实用新型提供了一种管式耦合器,包括空心管状外导体,外导体一端安装有输入端接头,另一端安装有输出端接头,外导体靠近输出端接头处侧壁安装有耦合装置;所述的外导体内部设置有中心导体,中心导体与外导体之间通过空气介质隔离;所述的耦合装置包括耦合内导体和耦合外壳,耦合外壳连接有耦合接头,耦合内导体一端通过绝缘子与中心导体连接,另一端伸出耦合外壳进入耦合接头内。本实用新型采用空气介质,没有损耗性电阻元件,使插损减小到最低,可靠性得以提高。
  • 一种基于E‑T接头的小型化波导功率合成网络-201711122633.X
  • 张国强;李磊;武华锋;华根瑞;杨莉;马云柱;张思明 - 西安电子工程研究所
  • 2017-11-14 - 2018-04-20 - H01P5/20
  • 本发明涉及一种基于E‑T接头的小型化波导功率合成网络,主要应用于W波段收发组件及其它需要小型化功率合成的领域,网络的输入端为标准50Ω微带线,采用石英(SiO2)材料,薄膜工艺加工,输出端为标准的WR10接口,波导口尺寸采用1.27mm×2.54mm。整个合成网络采用背对背波导结构,在合成器的波导合成对称处,引入“锲”型切口,改善了驻波,使波导的阻抗更加匹配。该种功率合成网络,合成效率达到了93.6%。该种功率合成结构已经应用于项目中,完成工程验证,具有很好的可靠性和一致性。
  • 具有滤波功能的腔体魔T结构-201510089255.4
  • 褚慧;陈建新;唐慧;周立衡;秦伟;陆清源;包志华 - 南通大学
  • 2015-02-27 - 2018-04-13 - H01P5/20
  • 本发明公开了一种具有滤波功能的腔体魔T结构,包括介质基板以及分别设置于介质基板上表面和下表面的上金属层和下金属层;介质基板上设置有多个金属化通孔;该上金属层、下金属层以及该三个预设圆的圆周上的金属化通孔对应围成第一圆形谐振腔、第二圆形谐振腔以及第三圆形谐振腔;第一圆形谐振腔分别与第二圆形谐振腔以及第三圆形谐振腔耦合级联,介质基板的上表面设置有第二输入馈电结构、第三输入馈电结构以及两个第一输出馈电结构。由于本发明采用了三个圆形谐振腔,利用圆形谐振腔中正交的两个模式,使得在单层介质板工艺中不但完成了魔T结构所应具备的同向输出和反向输出功能,还能够对处于工作频段以外的微波起到抑制和滤波作用。
  • 折叠波导H面魔T-201711267504.X
  • 王清源;邓杰 - 成都银赫科技有限公司
  • 2017-12-05 - 2018-03-23 - H01P5/20
  • 本发明公开了折叠波导H面魔T,包括耦合腔、与耦合腔连通的端口A、端口B、端口C和端口D;所述端口B和端口C分别位于端口A的左右两侧,端口D设置在耦合腔的底部,在端口B和端口C与耦合腔之间设置有多节波导段以及位于波导段底部的金属脊。本发明的折叠波导H面魔T具有准平面结构并易于集成,结构简单紧凑、高达41%的相对作带宽、加工调试成本低、输出端之间隔离度好、输出端之间幅相精度高等特点,可以广泛地应用于天线阵、相控阵雷达、功率分配和合成等领域中。
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