[发明专利]用于将电压源连接至主负载的连接电路有效

专利信息
申请号: 201710477935.2 申请日: 2017-06-22
公开(公告)号: CN107623367B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: S·N·哈桑;T·P·菲尔帕特;S·巴拉卡特 申请(专利权)人: 通用汽车环球科技运作有限责任公司
主分类号: H02J7/34 分类号: H02J7/34;H02J7/00;F16H61/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 代易宁;安文森
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 电压 连接 负载 电路
【权利要求书】:

1.一种连接电路,所述连接电路用于将电压源连接至主负载,所述连接电路包括:

Vbatt节点,所述Vbatt节点配置成电连接至电压源和主负载;

阻塞二极管,所述阻塞二极管电连接至所述Vbatt节点;

电池隔离开关模块,所述阻塞二极管串联地设置在所述电池隔离开关模块和所述Vbatt节点之间;

微处理器电源输入电容器组,所述微处理器电源输入电容器组在所述电源输入电容器组的第一端处电连接至所述电池隔离开关模块,所述电池隔离开关模块电连接在所述阻塞二极管和所述微处理器电源输入电容器组之间,所述微处理器电源输入电容器组在所述微处理器电源输入电容器组的第二端处连接至地面,所述微处理器电源输入电容器组的所述第一端配置成进一步与电源连接,所述阻塞二极管设置成防止电流通过所述阻塞二极管从所述微处理器电源输入电容器组流回至所述Vbatt节点。

2.根据权利要求1所述的连接电路,其中,所述阻塞二极管是肖特基二极管。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的连接电路,进一步包括HSD电容器组,所述HSD电容器组在所述HSD电容器组的第一端处电连接至所述Vbatt节点,所述HSD电容器组在所述HSD电容器组的第二端处连接至地面。

4.根据权利要求3所述的连接电路,进一步包括高侧驱动器,所述高侧驱动器在所述高侧驱动器的第一节点处电连接至所述Vbatt节点,所述高侧驱动器的所述第一节点进一步电连接至所述HSD电容器组的所述第一端,所述高侧驱动器配置成在所述高侧驱动器的第二节点处电连接至所述主负载。

5.根据权利要求4所述的连接电路,所述微处理器电源输入电容器组包括彼此并联地设置的多个第一电容器,所述HSD电容器组包括彼此并联地设置的多个第二电容器。

6.根据前述权利要求中任一项所述的连接电路,进一步包括电源,所述电源电连接至所述微处理器电源输入电容器组的所述第一端并且连接至所述电池隔离开关模块,所述电源是微处理器电源。

7.根据权利要求4、5或6中任一项所述的连接电路,进一步包括反向电池保护模块,所述反向电池保护模块在所述反向电池保护模块的第一节点处电连接至所述Vbatt节点,所述反向电池保护模块的第二节点电连接至所述HSD电容器组的所述第一端并且连接至所述高侧驱动器,其中,所述反向电池保护模块包括具有车身二极管的MOSFET,所述连接电路进一步包括唤醒模块,所述唤醒模块具有与所述反向电池保护模块的所述第二节点、所述HSD电容器组的所述第一端以及所述高侧驱动器电连接的第一节点,所述唤醒模块具有电连接至所述电池隔离开关模块的第二节点,所述唤醒模块具有配置成电连接至唤醒信号源的第三节点。

8.根据权利要求7所述的连接电路,进一步包括栅极电阻器,所述栅极电阻器电连接至所述反向电池保护模块的第三节点并且连接至地面,所述连接电路进一步包括栅-源电阻器,所述栅-源电阻器连接在反向电池保护模块MOSFET的栅极和源之间。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的连接电路,其中,所述电池隔离开关模块包括隔离MOSFET,所述隔离MOSFET的s端子电连接至所述阻塞二极管,所述隔离MOSFET的d端子电连接至所述微处理器电源输入电容器组的第一端并且连接至所述电源,所述电池隔离开关模块进一步包括第一电池隔离电阻器,所述第一电池隔离电阻器电连接至所述隔离MOSFET的g端子并且连接至启用器开关的第一端子,所述电池隔离开关模块进一步包括第二电池隔离电阻器,所述第二电池隔离电阻器电连接至所述隔离MOSFET的所述g端子和所述s端子,其中,所述启用器开关具有电连接至所述第一电池隔离电阻器的第一端子、所述隔离开关具有连接至地面的第二端子以及电连接至唤醒隔离电阻器的第三端子,所述电池隔离开关模块进一步包括电连接至所述启用器开关的所述第二和第三端子的第三电池隔离电阻器,所述唤醒隔离电阻器电连接至所述唤醒模块的所述第二节点。

10.根据权利要求4-9中任一项所述的连接电路,其中,所述高侧驱动器包括高侧驱动器MOSFET。

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