[发明专利]制造用于鳍式场效应晶体管的源极-漏极接触件的方法

权利要求书

1.一种用于制造用于具有多个鳍和源极-漏极结构的鳍式场效应晶体管器件的源极-漏极接触件的方法，所述方法包括：

将第一沟槽刻蚀至源极-漏极结构，第一沟槽在第一方向上具有第一长度；

在第一沟槽中形成第一导电层；

在第一沟槽中且在第一导电层上形成刻蚀停止层；

用第一填充材料填充第一沟槽；

在第一填充材料的第一部分之上形成掩模，掩模不在第一填充材料的第二部分之上延伸；

用各向异性刻蚀来刻蚀第一填充材料的第二部分以形成在第一方向上具有比第一长度小的第二长度的第二沟槽；以及

用第二填充材料填充第二沟槽，第二填充材料是电介质。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，源极-漏极结构包括多个源极-漏极区，所述多个源极-漏极区中的每个与所述多个鳍中的一个鳍对应，其中，第一导电层与所述多个源极-漏极区中的每个的一部分叠置。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，第一填充材料包括半导体作为主要成分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，第一填充材料包括选自于由硅、硅-锗、锗和它们的组合组成的组的半导体作为主要成分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀停止层包括氧化物作为主要成分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，刻蚀停止层包括选自于由二氧化硅、氧化铝和它们的组合组成的组的氧化物作为主要成分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，第一填充材料包括钨作为主要成分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，刻蚀停止层包括导体作为主要成分。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在用第一填充材料填充第一沟槽之后，使第一填充材料的顶表面平坦化。

10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在用各向异性刻蚀来刻蚀第一填充材料的第二部分之后，去除掩模。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，用各向异性刻蚀来刻蚀第一填充材料的第二部分以形成第二沟槽的步骤包括：去除在第二部分中的至少90％的第一填充材料。

12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在用第二填充材料填充第二沟槽之后，使第二填充材料的顶表面平坦化。

13.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在用第二填充材料填充第二沟槽之后，刻蚀第一填充材料的第一部分以形成在第一方向上具有比第一长度小的第三长度的第三沟槽。

14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：在形成第三沟槽之后，用第三填充材料填充第三沟槽，第三填充材料是导体。

15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：在形成第三沟槽之后并且在用第三填充材料填充第三沟槽之前，从第三沟槽的底部去除刻蚀停止层。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，第三填充材料包括选自于由：钨、钴和它们的组合组成的组的导体作为主要成分。

17.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：在形成第三沟槽之后并且在用第三填充材料填充第三沟槽之前，在第三沟槽中形成导电衬里。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，

导电衬里包括选自于由钛、氮化钛和它们的组合组成的组的材料作为主要成分；

第三填充材料包括选自于由钨、钴和它们的组合组成的组的材料作为主要成分。