[发明专利]一种反向电流检测电路有效
申请号: | 201710445983.3 | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN109085412B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 郑辰光 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/14 | 分类号: | G01R19/14;G01R19/00 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 吴小灿 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反向 电流 检测 电路 | ||
一种反向电流检测电路,有利于使用普通电压比较器就能检测到微弱反向电流(例如从VOUT端流向VIN端等)而无需采用低失调电压比较器电路,其特征在于,包括第一功率MOS管,所述第一功率MOS管的栅极分别连接驱动模块和限压模块,并通过开关连接接地端,所述第一功率MOS管的源极和漏极各自对应连接电压比较器的两个输入端,所述电压比较器的输出端连接所述开关的开关控制端,所述电压比较器的正向输入端连接电压输出端,所述电压比较器的负向输入端连接电压输入端,在所述电压输出端与所述功率MOS管之间的线路上设置电流传感器,所述电流传感器连接电流检测模块,所述电流检测模块连接所述限压模块。
技术领域
本发明涉及反向电流检测技术,特别是一种反向电流检测电路,有利于使用普通电压比较器就能检测到微弱反向电流(例如从VOUT端流向VIN端等)而无需采用低失调电压比较器电路。
背景技术
随着低功耗技术的发展,同一系统中经常会有多种电源电压,这时反向电流阻断功能也就越发重要。另外在On The Go技术广泛应用的背景下,主设备/从设备皆可互换。为防止反向电流从低功耗设备的输出端口流入并提供其所需静态电流,所以反向电流阻断阈值也变得越来越低,例如100mA或10mA等。在类似太阳能等某些特殊领域也需要低反向电流阻断阈值的监测电路,以提高能源利用效率。
近年来市场对输出电流的要求不断越高,例如USB PD标准或是动力电池充电领域等。如此便希望尽可能的降低传输路径上的等效阻抗以提高效率,而传统的通过检测传输路径上反向压降来实现反向电流阻断的方法无法阻断较低的反向电流,或者说成本过高。采用反向电流检测电路的目的在于阻断微弱反向电流,例如,将该电路串联在有源设备和有源设备之间,当检测到较低反向电流后关闭设备之间通路,以防有源负载向上游设备供电/漏电。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足,提供一种反向电流检测电路,有利于使用普通电压比较器就能检测到微弱反向电流(例如从VOUT端流向VIN端等)而无需采用低失调电压比较器电路。
本发明的技术方案如下:
一种反向电流检测电路,其特征在于,包括第一功率MOS管,所述第一功率MOS管的栅极分别连接驱动模块和限压模块,并通过开关连接接地端,所述第一功率MOS管的源极和漏极各自对应连接电压比较器的两个输入端,所述电压比较器的输出端连接所述开关的开关控制端,所述电压比较器的正向输入端连接电压输出端,所述电压比较器的负向输入端连接电压输入端,在所述电压输出端与所述功率MOS管之间的线路上设置电流传感器,所述电流传感器连接电流检测模块,所述电流检测模块连接所述限压模块。
所述第一功率MOS管为功率NMOS管,所述功率NMOS管的源极分别连接所述电压比较器的正向输入端和所述电压输出端,所述功率NMOS管的漏极分别连接所述电压比较器的负向输入端和所述电压输入端。
所述第一功率MOS管为功率NMOS管,所述功率NMOS管的源极分别连接所述电压比较器的正向输入端和所述电压输出端,以及放大器的正向输入端,所述放大器的负向输入端分别连接感应NMOS管的源极和第三PMOS管的源极,所述感应NMOS管的栅极连接所述功率NMOS管的栅极,所述感应NMOS管的漏极连接所述电压输入端,所述放大器的输出端连接所述第三PMOS管的栅极,所述第三PMOS管的漏极通过第一电流源连接接地端。
所述第三PMOS管的漏极分别连接第四NMOS管的漏极和栅极,所述第四NMOS管的源极接地,所述第四NMOS管的栅极连接第五NMOS管的栅极,所述第五NMOS管的漏极通过第二电流源连接所述电压输入端,所述第五NMOS管的源极接地。
所述第二电流源被接入第六MOS管的栅极和第七MOS管的栅极之间,所述第六MOS管为第六NMOS管,所述第七MOS管为第七PMOS管,所述第六NMOS管的漏极与所述第七PMOS管的漏极相互连接,所述第七PMOS管的源极连接所述功率NMOS管的栅极,所述第六NMOS管的源极通过第四电流源接地。
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