[发明专利]一种反向电流检测电路

权利要求书

1.一种反向电流检测电路，其特征在于，包括第一功率MOS管，所述第一功率MOS管的栅极分别连接驱动模块和限压模块，并通过开关连接接地端，所述第一功率MOS管的源极和漏极各自对应连接电压比较器的两个输入端，所述电压比较器的输出端连接所述开关的开关控制端，所述电压比较器的正向输入端连接电压输出端，所述电压比较器的负向输入端连接电压输入端，在所述电压输出端与所述功率MOS管之间的线路上设置电流传感器，所述电流传感器连接电流检测模块，所述电流检测模块连接所述限压模块；

所述第一功率MOS管为功率NMOS管，所述功率NMOS管的源极分别连接所述电压比较器的正向输入端和所述电压输出端，以及放大器的正向输入端，所述放大器的负向输入端分别连接感应NMOS管的源极和第三PMOS管的源极，所述感应NMOS管的栅极连接所述功率NMOS管的栅极，所述感应NMOS管的漏极连接所述电压输入端，所述放大器的输出端连接所述第三PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极通过第一电流源连接接地端；

所述第三PMOS管的漏极分别连接第四NMOS管的漏极和栅极，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的栅极连接第五NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的漏极通过第二电流源连接所述电压输入端，所述第五NMOS管的源极接地；

所述第二电流源被接入第六MOS管的栅极和第七MOS管的栅极之间，所述第六MOS管为第六NMOS管，所述第七MOS管为第七PMOS管，所述第六NMOS管的漏极与所述第七PMOS管的漏极相互连接，所述第七PMOS管的源极连接所述功率NMOS管的栅极，所述第六NMOS管的源极通过第四电流源接地；

所述电压比较器的输出端连接第八MOS管的栅极，所述第八MOS管为第八NMOS管，所述第八NMOS管的源极接地，所述第八NMOS管的漏极连接所述功率NMOS管的栅极，所述功率NMOS管的栅极连接电荷泵，所述电荷泵通过第三电流源连接所述电压输入端。

2.一种反向电流检测电路，其特征在于，包括第一功率MOS管，所述第一功率MOS管的栅极分别连接驱动模块和限压模块，并通过开关连接接地端，所述第一功率MOS管的源极和漏极各自对应连接电压比较器的两个输入端，所述电压比较器的输出端连接所述开关的开关控制端，所述电压比较器的正向输入端连接电压输出端，所述电压比较器的负向输入端连接电压输入端，在所述电压输出端与所述功率MOS管之间的线路上设置电流传感器，所述电流传感器连接电流检测模块，所述电流检测模块连接所述限压模块；

所述第一功率MOS管为功率PMOS管，所述功率PMOS管的漏极分别连接所述电压比较器的正向输入端和所述电压输出端，以及放大器的正向输入端，所述放大器的负向输入端分别连接感应PMOS管的漏极和第三PMOS管的源极，所述感应PMOS管的栅极连接所述功率PMOS管的栅极，所述感应PMOS管的源极连接所述电压输入端，所述放大器的输出端连接所述第三PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极通过第一电流源连接接地端；

所述第三PMOS管的漏极分别连接第四NMOS管的漏极和栅极，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的栅极连接第五NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的漏极通过第二电流源连接所述电压输入端，所述第五NMOS管的源极接地；

所述第五NMOS管的漏极通过第二倒相放大器连接第六MOS管的栅极，所述第六MOS管为第六PMOS管，所述第六PMOS管的漏极连接第七MOS管的栅极，所述第七MOS管为第七NMOS管，所述第六PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极相互连接，所述第七NMOS管的源极连接所述功率PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的源极通过第三电流源连接所述电压输入端；

所述电压比较器的输出端通过第一倒相放大器连接第八MOS管的栅极，所述第八MOS管为第八PMOS管，所述第八PMOS管的源极连接所述电压输入端，所述第八PMOS管的漏极分为二路，其中一路连接所述功率PMOS管的栅极，另一路通过第四电流源接地。