[发明专利]一种高纯度ITO靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201710441786.4 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107188556A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 周新林;董程;刘洪浩 | 申请（专利权）人： | 江苏比昂电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215137 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 ito 制备 方法 | ||
1.一种高纯度ITO靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：将按重量份数表示的8.5-9.5份氧化锡和0.5-1.5份氧化铟混合后放入球磨机球磨，球磨的同时加入纯水，充分球磨混合成浆料；
S2：将步骤S1获得的浆料进行脱泡处理；
S3：将步骤S2处理过后的浆料放入成型模具中成型，成型压力为0.15-0.45MPa,成型时间为2h-8h；
S4：将步骤S3成型的胚料放入烧结炉中烧结，烧结时先将炉温提升到常温，将烧结炉内的炉温提升到500℃-1000℃后保温5h-10h,保温过后再将炉温提升到1550℃-1650℃，再保温3h-20h,保温过后将炉温降到500℃-1000℃，再保温5h-10h，保温过后将炉温降到常温。
2.根据权利要求1所述的一种高纯度ITO靶材的制备方法，其特征是，步骤S1获得浆料粒度d50为0.15-0.4μm。
3.根据权利要求1所述的一种高纯度ITO靶材的制备方法，其特征是，所述常温为20-25℃。
4.根据权利要求1所述的一种高纯度ITO靶材的制备方法，其特征是，所述球磨时间为72h-120h。
5.根据权利要求1所述的一种高纯度ITO靶材的制备方法，其特征是，步骤S3成型后的胚料含水量小于5%。
6.根据权利要求1所述的一种高纯度ITO靶材的制备方法，其特征是，所述氧化锡和氧化铟球磨时比重为9：1。
7.根据权利要求1所述的一种高纯度ITO靶材的制备方法，其特征是，所述ITO靶材相对密度为99.5%。
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