[发明专利]一种利用陶瓷渣和单晶硅磨抛废料制备一体墙材的方法

权利要求书

1.一种利用陶瓷渣和单晶硅磨抛废料制备一体墙材的方法，其特征在于：该方法以陶瓷渣制备保温层，以陶瓷渣和单晶硅磨抛废料的混合原料制备基体层，将保温层和基体层采用高温共烧的方法制得一体墙材，其中，保温层通过向陶瓷渣中加入添加剂和发泡剂制成，基体层通过混合陶瓷渣、单晶硅磨抛废料和添加剂烧结制成；

所述陶瓷渣为陶瓷砖的生产制作过程中磨边和打磨加工产生的固体废弃渣；

所述陶瓷渣成分为SiO₂：50~70wt％，Al₂O₃：10~30wt％，MgO：2~5wt％，CaO：2~4wt％，K₂O：2~6%，Na₂O：2~8%；所用的单晶硅磨抛废料成分为C：5~10 wt%，Si：90~95wt%；

所述基体层中单晶硅磨抛废料添加量为所用陶瓷渣质量的5~20%；

所述保温层的添加剂为磷酸钠、氧化镁，发泡剂为碳化硅；其中，磷酸钠占陶瓷渣质量的0.5%~5%，氧化镁占陶瓷渣质量的1%~7%，碳化硅占陶瓷渣质量的0.5%~7%；所述基体层的添加剂为磷酸钠和氧化镁，其中，磷酸钠占陶瓷渣质量的1%~6%，氧化镁占陶瓷渣质量的2%~8%；

所述保温层和基体层两层原料采用一起压样，共同烧结制度，其烧结温度范围为1100~1200℃；

所制得的一体墙材保温层和基体层的表观密度分别为300~500kg/m³和900~1800kg/m³，导热系数分别在0.2W/(m·K)和1.3 W/(m·K)以下；墙材综合的屈服强度大于22MPa。