[发明专利]一种制备镍钴的氧、硫化合物复合薄膜电极的方法

权利要求书

1.一种镍钴的氧、硫化合物复合薄膜电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）集流体基体预处理：将集流体基体进行除油、水洗、酸洗和水洗处理；

（2）集流体制备：将预处理的集流体基体置于镍钴磷化学镀液中，在集流体基体表面均匀镀覆镍钴磷合金镀层，然后水洗，干燥；

（3）浸泡法涂覆硫化物溶液：将上述集流体浸泡于过饱和硫化物溶液中，使集流体表面获得均匀的硫化物液膜；

（4）高温氧化硫化：将表面均匀涂覆硫化物液膜的集流体置于含氧的加热设备中进行高温氧化硫化，反应温度为330 ~ 420 ℃，反应时间为1 ~ 2小时，在集流体表面原位制备镍钴的氧、硫化合物复合电极材料膜，取出冷却后即得到镍钴的氧、硫化合物复合薄膜电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的集流体基体为导电性能良好的金属或导电性良好的非金属。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的集流体基体为金属镍箔、泡沫镍、不锈钢箔、铜箔、纯铁箔、碳材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述的集流体基体为纯铁箔。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的镍钴磷化学镀液为高温碱性镀液，镍钴磷合金镀层中镍、钴和磷的质量分数依次为30% ~ 50%、40% ~ 64%和6%~ 10%。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述镍、钴和磷的质量分数依次为45.99%、46.01%和8.00%。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述镀覆温度为81~83℃，镀覆时间为30~120分钟。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述过饱和硫化物溶液为过饱和硫化钠、过饱和硫化钾或过饱和硫化铵。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述集流体在过饱和硫化物溶液中的浸泡时间为1 ~ 2分钟。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（4）中所述的高温反应温度为350℃。