[发明专利]放大电路有效
申请号: | 201710432728.5 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107666294B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 田部井慎;渡边大介 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F3/193 | 分类号: | H03F3/193;H03F1/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 放大 电路 | ||
本发明能根据温度调整放大电路的增益。本发明的放大电路放大输入信号并输出放大信号,包括:从输出端子输出放大信号的放大元件;电感器,该电感器的一端被提供电源电压,另一端与放大元件的输出端子连接;与电感器并联连接的可变电阻器;以及根据温度调整可变电阻器的电阻值的电阻值调整电路。
技术领域
本发明涉及放大电路。
背景技术
在无线LAN(Local Area Network:局域网)、移动电话等无线通信系统中,使用用于放大信号的放大电路。例如,在专利文献1中,公开了一种在无线通信系统的接收机中使用的LNA(低噪声放大器)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特表2008-512926号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在放大电路中,有时希望使增益固定而与温度无关。在专利文献1中,虽然公开了一种对与电感器并联设置的感应负载进行调整的结构,但并未公开使增益固定而与温度无关的结构。
本发明是鉴于上述的情况完成的,其目的是:能根据温度调整放大电路的增益。
解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面所涉及的放大电路放大输入信号并输出放大信号,包括:从输出端子输出放大信号的放大元件;电感器,该电感器的一端被提供电源电压,另一端与放大元件的输出端子连接;与电感器并联连接的可变电阻器;以及根据温度调整可变电阻器的电阻值的电阻值调整电路。
发明效果
根据本发明,能根据温度调整放大电路的增益。
附图说明
图1是示出作为本发明的一个实施方式的放大电路100的结构的图。
图2是示出作为放大电路100的一个示例的放大电路100A的结构的图。
图3是示出作为放大电路100的一个示例的放大电路100B的结构的图。
图4A是表示放大电路100B的动作的模拟结果的图。
图4B是表示放大电路100B的动作的模拟结果的图。
图5是示出作为放大电路100的一个示例的放大电路100C的结构的图。
图6A是表示放大电路100C的动作的模拟结果的图。
图6B是表示放大电路100C的动作的模拟结果的图。
图6C是表示放大电路100C的动作的模拟结果的图。
图7是示出作为放大电路100的一个示例的放大电路100D的结构的图。
具体实施方式
以下对于本发明的一个实施方式,参照附图进行说明。图1是示出作为本发明的一个实施方式的放大电路100的结构的图。放大电路100放大输入信号Pin,并输出放大信号Pout。放大电路100是例如在无线通信系统的接收机中也使用的LNA。如图1所示,放大电路100包括:N沟道MOSFET(N1、N2)、P沟道FET(P1)、电阻器R1、电容器C1、电感器L1、L2、匹配电路(MN)110、111、以及电阻值调整电路120。
N沟道MOSFET(N1、N2)构成共源共栅连接的放大器。
N沟道MOSFET(N1)的源极连接至电感器L1的一端,电感器L的另一端接地。输入信号Pin通过匹配电路110提供至N沟道MOSFET(N1)的栅极偏置电压BIAS1通过电阻器R1提供至N沟道MOSFET(N1)的栅极
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710432728.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率放大模块
- 下一篇:用于电路的带宽及阻尼因数的自动优化的系统及方法