[发明专利]无铅高体电阻率低温封接玻璃

说明书

无铅高体电阻率低温封接玻璃属于封接材料技术领域。现有封接玻璃的封接温度过高，绝缘性较差。本发明之无铅高体电阻率低温封接玻璃其特征在于，各组分的重量百分配比为：P₂O₅ 20～40％，B₂O₃ 5～20％，SnF₂ 30～50％，SnO 5～20％，TiO₂ 5～20％；封接温度为280～400℃，体电阻率Rv为780～910MΩ。所述低温封接玻璃应用于通讯、测量、传输、显示等领域所使用的仪器仪表或电子元器件的制造中。

技术领域

本发明涉及一种无铅高体电阻率低温封接玻璃，所述低温封接玻璃应用于通讯、测量、传输、显示等领域所使用的仪器仪表或电子元器件的制造中，属于封接材料技术领域。

背景技术

相比于有机封接材料，封接玻璃耐久、牢固，在所封接的仪器仪表或者电子元器件的使用中，耐高温。同时，与对有机封接材料的要求相同，也需要封接玻璃无毒、绝缘、耐候。作为玻璃材料，封接玻璃在封接仪器仪表或者电子元器件的过程中，封接温度要比有机封接材料高，为了避免损坏被封接仪器仪表或者电子元器件，封接温度应该控制在400～600℃之间，最高不超过700℃，当然，封接玻璃的封接温度越低越好。封接玻璃的封接温度也就是液态化温度，封接温度高于玻璃的软化温度，软化温度高于转变温度。

美国专利第5021366号公开了一种无氟磷酸盐玻璃，玻璃各组分的摩尔百分配比为：P₂O₅30～36％，ZrO₂10～33％，R₂O 15～25％，RO 15～25％，另外还含有氧化铝、氧化锡、氧化铅等组分。该玻璃的软化温度为400～430℃，可见，作为封接材料，该玻璃的封接温度势必过高。另外，该玻璃含铅；较大比例的碱金属氧化物组分也使得该玻璃的绝缘性下降。

美国专利第6306783号公开了一种封接玻璃，玻璃各组分的摩尔百分配比为：SnO30～80％，B₂O₃5～60％，P₂O₅5～24％，ZnO 0～25％，WO₃3～20％，MoO₃3～5％，TiO₂0～15％，ZrO₂0～15％，CuO 0～10％，R₂O 2～35％，该玻璃的转变温度为280～380℃，封接温度为450～500℃，流动半径为22～26mm。不过，该玻璃依然含有碱金属氧化物组分。当然，封接温度如果能进一步降低则更为理想。

日本专利第H7-69672号公开了一种封接玻璃，玻璃各组分的摩尔百分配比为：P₂O₅25～50％，SnO 30～70％，ZnO 0～25％，在此基础上添加适量的B₂O₃、WO₃、Li₂O等，SnO/ZnO大于5:1，该玻璃的封接温度为350～450℃，采用填充剂来降低玻璃的膨胀系数。不过，填充剂的加入影响到玻璃封接时的流动性和封接的气密性。再有，该玻璃依然含有碱金属氧化物组分；同时，还希望能够进一步降低封接温度。

中国专利201010190237.2提出了一种无铅低熔电子显示器封接玻璃及其制备方法，该玻璃各组分的质量百分配比为：ZnO 10～45wt％，P₂O₅10～45wt％，V₂O₅5～35wt％，B₂O₃1～10wt％，Al₂O₃1～10wt％，Fe₂O₃1～10wt％，玻璃的软化温度为300～360℃。然而，该封接玻璃含有较大比例的有毒的V₂O₅；所述制备方法在熔制过程中易起泡，污染生产环境，且降低原料利用率。再有，封接温度有待进一步降低。