[发明专利]一种晶体电子密度分布模型的评价方法及其应用

权利要求书

1.一种晶体电子密度分布模型的评价方法，包括：

S1.计算待测晶体的正确电子密度分布模型在经历第一微扰后的结构振幅值，所述第一微扰使得所述待测晶体中各原子的正确电子密度分布模型在经历微扰后在晶胞内的加和与其对应的原子的核外电子数目相同；

S2.计算待测晶体的当前电子密度分布模型在经历微扰后的结构振幅值，所述微扰使当前电子密度分布模型中的低密度区发生改变；

S3.比较S2中结构振幅值与S1中结构振幅值，以评价当前电子密度分布模型。

2.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，S1包括：

基于与待测晶体的晶格参数相同的假想晶体，计算待测晶体的正确电子密度分布模型在经历第一微扰后结构振幅值；

其中，所述假想晶体在晶胞原点处仅有一个原子且位于原点处，所述原子的种类与构成所述待测晶体的原子之一相同。

3.根据权利要求2所述的评价方法，其特征在于，S1具体包括：

S11.基于对所述假想晶体的电子密度分布模型施加第一微扰后的电子密度分布模型，利用傅里叶变换计算得到赝原子散射因子；

S12.基于所述赝原子散射因子，根据晶体衍射运动学理论，得到待测晶体的正确电子密度分布模型在第一微扰后的结构振幅值。

4.根据权利要求3所述的评价方法，其特征在于，S11具体为：

S111.基于所述假想晶体的结构因子，利用逆傅里叶变换得到电子密度分布模型；

S112.对S111的电子密度分布模型施加第一微扰，得到经历微扰后的电子密度分布模型；

S113.基于S112中经历微扰后的电子密度分布模型，根据傅里叶变换得到该电子密度分布模型的赝原子散射因子。

5.根据权利要求4所述的评价方法，其特征在于，所述假想晶体的结构因子的获取基于构成假想晶体的原子散射因子。

6.根据权利要求3所述的评价方法，其特征在于，所述S12具体为：

基于所述赝原子散射因子，对待测晶体实验观测衍射强度值进行修正，得到待测晶体的正确电子密度分布模型在经历第一微扰后结构振幅值。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的评价方法，其特征在于，S2中所述待测晶体的当前电子密度分布模型在经历微扰后的结构振幅值的获取包括：

利用实验观测的衍射振幅和当前相位，通过傅里叶合成构建待测晶体的当前电子密度分布模型；

对所述当前电子密度分布模型施加微扰，使模型中的低密度区发生改变，并利用傅里叶变换计算得到当前电子密度分布模型在经历微扰后的衍射振幅值。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的评价方法，其特征在于，所述评价方法应用于分辨率劣于0.2纳米的晶体电子密度分布模型。

9.权利要求1-8中任一项所述的评价方法在晶体结构分析中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述晶体结构分析中还包括使用直接法和/或电荷翻转法。