[发明专利]一种LED晶片多金异常的处理方法

权利要求书

1.一种LED晶片多金异常的处理方法，包括：

-提供存在多金异常的蓝宝石晶片，所述蓝宝石晶片是以蓝宝石为衬底的氮化镓基LED晶片，下称晶片；

-超声

提供水或者有机溶剂为超声介质液，将上述晶片放置到所述超声介质液中进行超声处理；超声频率30-50kHz；

-高压水冲洗

超声处理后的晶片，放置到自动清洗机的载片盘上，使用高压水进行冲洗；

-去胶及剥离

将冲洗步骤完成后的晶片，放置到去胶液中进行浸泡，浸泡后的晶片在有机溶剂中涮洗去除去胶液，然后将晶片放置到无水乙醇中去掉残留的去胶液和有机溶剂，最后使用蓝膜覆盖晶片表面进行剥离，去掉残留金属；

-等离子体清洗

将剥离步骤完成后的晶片放置到氧气等离子体装置内进行等离子体清洗。

2.如权利要求1所述的LED晶片多金异常的处理方法，其特征在于所述超声频率为35-45kHz。

3.如权利要求1所述的LED晶片多金异常的处理方法，其特征在于，所述超声处理时间为5-15min。

4.如权利要求1所述的LED晶片多金异常的处理方法，其特征在于所述自动清洗机用气体增加水压，所述气体为压缩空气。

5.如权利要求1所述的LED晶片多金异常的处理方法，其特征在于所述自动清洗机的载片盘转速为2000rpm-3000rpm；优选的，所述高压水枪进行冲洗的时间为3-15min。

6.如权利要求1所述的LED晶片多金异常的处理方法，其特征在于所述晶片在去胶液中浸泡时间为5-30min。

7.如权利要求1所述的LED晶片多金异常的处理方法，其特征在于所述有机溶剂为丙酮或者乙醇。

8.如权利要求1所述的LED晶片多金异常的处理方法，其特征在于所述氧气等离子体装置的功率为800-1000w；优选的，等离子体清洗的时间为5-15min。

9.如权利要求1所述的LED晶片多金异常的处理方法，其特征在于，所述氧气等离子体装置中所用的氧气纯度为≥99.999％。