[发明专利]一种单槽深C/Ku双频段差模跟踪馈源及其设计方法

权利要求书

1.一种单槽深C/Ku双频段差模跟踪馈源，其特征在于，包括单槽结构波纹喇叭和差模馈线合成网络，所述单槽结构波纹喇叭由顺次连接的过渡段、模变换段、变频段、变角段和辐射段组成，所述变角段为由多个槽周期组成的单槽结构形式，在变角段前部的一个槽周期处相对应的波纹喇叭的圆周上均匀依次开设有第一至第八共八个耦合口，相邻两个耦合口之间的夹角为45度；

所述差模馈线合成网络包括八个低通滤波器、八个波导同轴转换器、十端口微带差模合成器和同轴电缆；其中，第一耦合口和第五耦合口输出的信号分别经低通滤波器和波导同轴转换器后进入十端口微带差模合成器的第一输入端口和第二输入端口；第三耦合口和第七耦合口输出的信号分别经低通滤波器和波导同轴转换器后进入十端口微带差模合成器的第三输入端口和第四输入端口；第二耦合口和第六耦合口输出的信号分别经低通滤波器和波导同轴转换器后进入十端口微带差模合成器的第五输入端口和第六输入端口；第四耦合口和第八耦合口输出的信号分别经低通滤波器和波导同轴转换器后进入十端口微带差模合成器的第七输入端口和第八输入端口；十端口微带差模合成器的第一输出端口和第二输出端口分别输出左旋极化天线自跟踪信号与右旋极化天线自跟踪信号。

2.根据权利要求1所述的单槽深C/Ku双频段差模跟踪馈源，其特征在于，所述耦合口为在波纹槽底径向开设的矩形口。

3.根据权利要求1所述的单槽深C/Ku双频段差模跟踪馈源，其特征在于，所述耦合口开设在变角段上自模变换段到辐射段方向的第10个槽周期处。

4.根据权利要求1所述的单槽深C/Ku双频段差模跟踪馈源，其特征在于，所述变角段采用由一个凹直槽和一个槽齿组成一个槽周期的单槽深结构形式。

5.根据权利要求1所述的单槽深C/Ku双频段差模跟踪馈源，其特征在于，所述耦合口处的槽深是正常槽深的1.6至2.1倍。

6.根据权利要求1所述的单槽深C/Ku双频段差模跟踪馈源，其特征在于，差模信号的耦合口位置在差模信号回波的波腹点上。