[发明专利]液晶显示面板及显示装置在审

专利信息
申请号: 201710403709.X 申请日: 2017-06-01
公开(公告)号: CN107037643A 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 凌安恺;余艳平;沈柏平 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 代理人: 王刚,龚敏
地址: 361101 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示面板及显示装置。

背景技术

目前,市场对高PPI(Pixels Per Inch,像素密度)的产品以及阵列基板与触控一体设置的产品的需求越来越强烈,但是,支持前述两种产品的IC(Integrated circuit,集成电路)功耗相比于普通产品的IC功耗也大幅度提高,众所周知地,高功耗也导致IC的温度升高。

另一方面,由于高PPI产品的穿透率不足需要搭配高亮度的背光,通常做法是提高LED(Light-Emitting Diode,发光二极管)的电流或者增加LED的数量,同样的,上述做法也会增加LED的功耗,造成LED的温度过高。

由于IC与LED的温度过高,显示区靠近IC端的温度升高,且由于面板散热效果差,导致面板内的温差增大。如图1所示,以5.5FHD TED产品为例,面板内9个测试点的最大温差大于2.5℃。

由于温度会影响液晶的粘度、弹性系数和介电常数,因此,面内温差过大会造成不同位置处的Gamma不一致。如图1所示,靠近IC端(第6点)的127灰阶Gamma值与远离IC端(第1和第7点)的Gamma值差异最大,此时,由于液晶盒内的杂质离子的浓度会随着面板温度的升高而增加,因此,越靠近IC端,面板上出现残影的几率越大。

发明内容

本申请提供了一种液晶显示面板以及显示装置,能够改善液晶显示面板Gamma不一致的现象,提升液晶显示面板的显示品质。

本申请的第一方面提供了一种液晶显示面板,包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域包围所述显示区域,所述显示区域包括多个子区域,所述多个子区域内分别设置有多个像素电极,

同一所述子区域内的各所述像素电极的亮度控制参数均相等;且至少一所述子区域内的各所述像素电极的所述亮度控制参数与另一所述子区域内的各所述像素电极的所述亮度控制参数不相等。

优选地,所述亮度控制参数包括所述像素电极的偏角,所述像素电极包括沿直线方向延伸的主体部分;所述偏角为主体部分的延伸方向与第一方向的夹角,所述第一方向为与栅极线延伸方向垂直的方向。

优选地,各所述像素电极包括狭缝,所述亮度控制参数包括所述像素电极的狭缝的数量。

优选地,任意两个所述子区域,平均温度相对较高的所述子区域内的各所述像素电极的所述偏角大于平均温度相对较低的所述子区域内的各所述像素电极的所述偏角。

优选地,任意两个所述子区域中,平均温度相对较低的所述子区域内的各所述像素电极的所述偏角的设置范围为1°~20°。

优选地,任意两个所述子区域中,平均温度相对较高的所述子区域内的各所述像素电极的所述偏角与平均温度相对较低的所述子区域内的各所述像素电极的所述偏角的差值的范围为3°~5°。

优选地,每个所述像素电极还包括与所述主体部分相连接的附加部分;

所述附加部分与所述主体部分在阵列基板上正投影所得的图形中,所述附加部分与所述主体部分相接处呈第一夹角,所述第一夹角为非零夹角。

优选地,所述第一夹角的数量为多个,至少两个所述第一夹角的角度值不相等。

优选地,至少一个所述子区域中的至少一个所述第一夹角的角度值与另一个所述子区域中的所述第一夹角的角度值不相等。

优选地,任意两个所述子区域中,平均温度相对较高的所述子区域内的每个所述像素电极的所述狭缝的数量少于平均温度相对较低的所述子区域内的每个像素电极的所述狭缝的数量。

优选地,任意两个所述子区域中,平均温度相对较低的所述子区域内的每个所述像素电极的所述狭缝的数量的设置范围为1~15个。

优选地,任意两个所述子区域中,平均温度相对较高的所述子区域内的每个所述像素电极的所述狭缝的数量与平均温度相对较低的所述子区域内的每个所述像素电极的所述狭缝的数量差的范围为1~5个。

优选地,所述非显示区域设置有热源,各所述子区域的平均温度正比于各所述子区域与所述热源之间的距离。

优选地,所述热源包括集成电路。

优选地,所述热源包括背光源。

优选地,所述多个子区域均为条形区域且平行排布。

优选地,各所述子区域中设置的所述像素电极为双畴结构的像素电极,所述双畴结构分为上畴和下畴;各所述子区域中上畴的各所述像素电极的偏角与下畴的各所述像素电极的偏角的角度相等但方向相反。

优选地,各所述子区域中的各所述像素电极为单畴结构的像素电极。

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