[发明专利]显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含所述显示区域的面，形成第一绝缘膜；

将所述第一绝缘膜的与所述基板相反侧的第一面的大致整面暴露于有机蒸气中，使有机分子吸附于所述第一绝缘膜的所述第一面的大致整面；

在所述第一绝缘膜的所述第一面，将吸附于第一区域的所述有机分子除去，其中所述第一区域被划定为包含所述显示区域且不到所述第一绝缘膜的端部的内侧区域；

在所述第一绝缘膜的被除去了所述有机分子的所述第一区域形成第二绝缘膜；

除去吸附于所述第一绝缘膜的所述第一区域外的所述有机分子；和

在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜上，形成与所述第一绝缘膜在所述第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。

2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：

在所述第一绝缘膜上配置具有使所述第一区域露出的开口部的掩模来进行等离子体处理，除去所述有机分子。

3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于：

所述等离子体处理利用含氧的气体的辉光放电等离子体来进行处理。

4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：

所述有机分子是选自酞酸酯类、低分子硅氧烷、磷酸酯类和羟基甲苯二丁酯中的一种或多种有机材料的分子。

5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法，其特征在于：

所述有机分子使所述第一绝缘膜的第一面的拨液性变高。

6.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含所述显示区域的面，形成第一绝缘膜；

将所述第一绝缘膜的与所述基板相反侧的第一面中的第一区域被遮挡了的所述第一绝缘膜暴露于有机蒸气中，使有机分子吸附于所述第一区域被遮挡了的所述第一绝缘膜，其中所述第一区域被划定为包含所述显示区域且不到所述第一绝缘膜的端部的内侧区域；

在所述第一绝缘膜的没有吸附所述有机分子的所述第一区域形成第二绝缘膜；

除去吸附于所述第一绝缘膜的所述第一区域外的所述有机分子；和

在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜上，形成与所述第一绝缘膜在所述第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。

7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法，其特征在于：

所述有机分子是选自酞酸酯类、低分子硅氧烷、磷酸酯类和羟基甲苯二丁酯中的一种或多种有机材料的分子。

8.如权利要求7所述的显示装置的制造方法，其特征在于：

所述有机分子使所述第一绝缘膜的第一面的拨液性变高。

9.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含所述显示区域的面，形成第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜的与所述基板相反侧的第一面，在第一区域以外的部分被遮挡了的所述第一绝缘膜形成密接膜，其中所述第一区域被划定为包含所述显示区域且不到所述第一绝缘膜的端部的内侧区域；

在所述第一绝缘膜的形成有所述密接膜的所述第一区域形成第二绝缘膜；和

在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜上，形成与所述第一绝缘膜在所述第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。

10.如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其特征在于：

所述密接膜形成在所述第一区域，不形成在比第一区域靠外侧的区域。

11.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于：

所述密接膜是氧化硅或非晶硅。

12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于：

所述密接膜使所述第二绝缘膜的密接性变高。