[发明专利]一种制备微痕锥形光纤传感探头的蚀刻液在审

专利信息
申请号: 201710388906.9 申请日: 2017-05-25
公开(公告)号: CN107056092A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 周小红;朱锡宇;施汉昌;何苗;王若瑜 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C03C25/68 分类号: C03C25/68
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 代理人: 关畅,吴爱琴
地址: 100084 北京市海淀区北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 制备 锥形 光纤 传感 探头 蚀刻
【说明书】:

技术领域

发明属于传感器制作领域,具体涉及一种制备微痕锥形光纤传感探头的蚀刻液。

背景技术

锥形光纤传感探头具备信号收集效率高的优点,在传感领域应用广泛。在制作基于锥形光纤探头的传感器时,一般需要将柱状光纤的一端通过湿法蚀刻减少到一定的直径,并形成一定的锥角,如图1所示,由图1可以看出,所述锥形光纤传感探头的表面平整度很低。

传统二氧化硅锥形光纤传感探头的制备,大多直接使用40%的氢氟酸直接蚀刻,这种方法制备所得到的传感光纤,在扫描电子显微镜(SEM)下观察可以看出,表面分布有大量细小孔洞、平整度低,如图2所示。一个优秀的传感元件,其界面应该是平整的、稳定的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制备微痕锥形光纤传感探头的蚀刻液,可以但不限于用于二氧化硅光纤传感部件的制备。

本发明所提供的制备微痕锥形光纤传感探头的蚀刻液,由强酸和氢氟酸构成,其中,所述氢氟酸为40%氢氟酸(暨市售分析纯氢氟酸);

所述强酸包括但不限于硫酸、硝酸(暨市售分析纯硫酸或硝酸)。

所述强酸与氢氟酸的体积比为10~40:100,如10mL的氢氟酸中,加入1~4mL的强酸。

所述蚀刻液的实际使用温度可为10℃~40℃。

本发明还提供一种利用上述蚀刻液制备微痕锥形光纤传感探头的方法。

所述制备微痕锥形光纤传感探头的方法,包括:

将去除保护层的光纤的一端垂直浸入上述蚀刻液,一段时间后取出光纤,用去离子水洗净,再除去上部的光纤包层,即得微痕锥形光纤传感探头。

本发明中将一定体积的强酸加入到原40%氢氟酸蚀刻体系,减少传统传感元件制备方法所造成的锥形光纤传感探头表面平整度低的问题。

传统二氧化硅锥形光纤传感探头的制备,大多直接使用氢氟酸进行蚀刻。时至今日,因氢氟酸溶液本身的电离组分就存在争议,二氧化硅与氢氟酸的实际反应机理仍不为所知。绝大多数研究认为,二氧化硅与氢氟酸直接反应,会产生一定量的不溶性氟硅酸盐吸附于二氧化硅的表面,使得表面粗糙并阻碍二氧化硅与氢氟酸进一步反应。

针对以上的问题和挑战,本发明提供了上述制备微痕锥形光纤传感探头的蚀刻液。

经过一系列表征,上述蚀刻液配比合理,制备出的锥形光纤传感探头的品质优良、均匀性好。

在传统的40%氢氟酸体系中加入一定浓度的强酸进行蚀刻。经SEM观察,使用此种方法得到的锥形光纤传感探头界面只有极其微小的腐蚀痕迹,平整度明显提高

附图说明

图1为锥形光纤传感探头的示意图,其中,L=8.6cm,R=600μm,r=220μm,h1=3.3cm,h2=0.2cm,h3=5.1cm。

图2为通过传统40%氢氟酸蚀刻方法制备的锥形光纤传感探头的SEM图。

图3为使用本发明所述蚀刻液制备微痕光纤传感探头的示意图,(左:蚀刻前;右:蚀刻后)。

图4为使用本发明蚀刻液制备的锥形光纤传感探头的SEM图。

图5为对比例1中加入强酸的量少于10%,蚀刻后的SEM图。

图6为对比例2中加入强酸的量多于40%,蚀刻后的SEM图。

具体实施方式

下面通过具体实施例对本发明进行说明,但本发明并不局限于此。

下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明,均为常规方法;下述实施例中所用的试剂、材料等,如无特殊说明,均可从商业途径得到。

实施例1

(1)制作待泡制的光纤

首先,将原有的带有保护包层的光纤,用刀片从一端削去3.5cm的保护层。

(2)光纤传感元件蚀刻液的制备

在一定体积的氢氟酸中,加入占氢氟酸总体积10%~40%的强酸(硝酸或硫酸或者两者的混合物)。如10mL的氢氟酸中,加入1~4mL的强酸。

(3)光纤传感元件的制备与检测

将削去3.5cm护层的光纤,裸光纤一端,垂直浸入本发明所述蚀刻液中,液面没过裸光纤与保护层的界限3~5mm,如图3所示。待一段时间后取出光纤,用去离子水洗净。再除去上部的光纤包层。此时得到的暨制作完成的锥形光纤传感探头,如图1所示。在SEM下观察可见,如图4所示。其表面极其光滑,说明本发明能够提供一个平整、微痕、稳定、均匀性好的锥形光纤传感探头。

对比例1

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710388906.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top