[发明专利]光学指纹传感器模组在审

专利信息
申请号: 201710384764.9 申请日: 2017-05-26
公开(公告)号: CN107273821A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 凌严;朱虹 申请(专利权)人: 上海箩箕技术有限公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 吴圳添,吴敏
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光学 指纹 传感器 模组
【说明书】:

技术领域

本发明涉及光学指纹识别领域,尤其涉及一种光学指纹传感器模组。

背景技术

指纹成像识别技术,是通过光学指纹传感器采集到人体的指纹图像,然后与系统里的已有指纹成像信息进行比对,来判断正确与否,进而实现身份识别的技术。由于其使用的方便性,以及人体指纹的唯一性,指纹成像识别技术已经大量应用于各个领域。比如公安局和海关等安检领域、楼宇的门禁系统、以及个人电脑和手机等消费品领域等等。指纹成像识别技术的实现方式有光学成像、电容成像、超声成像等多种技术。相对来说,光学指纹成像识别技术成像效果相对较好,设备成本相对较低。

公开号为CN104933421A的中国发明专利申请提供了一种光学式指纹成像系统,通过在系统的保护层外表面、保护层的内表面或光学指纹传感器上表面增加滤光层,避免环境光对指纹图像的干扰,减小环境光对指纹成像的影响。

然而,对于一个光学指纹传感器模组而言,滤光作用还需要进一步考虑其它因素,现有光学指纹传感器模组的结构有待改进,性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学指纹传感器模组,以优化光学指纹传感器模组的结构,提高光学指纹传感器模组的性能。

为解决上述问题,本发明提供一种光学指纹传感器模组,光学指纹传感器模组包括:光学指纹传感器;保护层,所述保护层位于所述光学指纹传感器上方;背光源,所述背光源位于所述光学指纹传感器下方或侧边;还包括:透光起伏结构,所述透光起伏结构位于所述保护层和所述指纹传感器之间;所述透光起伏结构包括起伏单元和缓冲层;所述起伏单元紧密排布在所述缓冲层的第一表面,或者所述起伏单元分散排布在所述缓冲层的第一表面;干涉反射复合膜层;当所述起伏单元紧密排布在所述缓冲层的第一表面时,所述干涉反射复合膜层原貌覆盖所述起伏单元;当所述起伏单元分散排布在所述缓冲层的第一表面时,所述干涉反射复合膜层原貌覆盖所述起伏单元和空余的所述第一表面。

可选的,所述起伏单元的高度为1μm~100μm。

可选的,所述起伏单元的宽度为1μm~100μm。

可选的,当所述起伏单元分散排布在所述缓冲层表面时,相邻所述起伏单元之间的距离在50μm以下。

可选的,所述起伏单元的外形为圆锥形、截顶圆锥形、棱锥形、截顶棱锥形、球缺形和椭球缺形的一种或多种。

可选的,所述干涉反射复合膜层对所述背光源光线具有高透过作用,所述高透过率作用为所述干涉反射复合膜层对所述背光源光线的透过率大于50%。

可选的,所述干涉反射复合膜层对所述环境光具有高滤除作用,所述高滤除作用为所述干涉反射复合膜层对所述环境光的透过率小于30%。

可选的,所述干涉反射复合膜层的厚度为50nm~5000nm。

可选的,所述干涉反射复合膜层的层数为2~200。

可选的,所述光学指纹传感器模组还包括滤光层,所述滤光层位于所述透光起伏结构上方或下方,或者所述滤光层同时位于所述透光起伏结构的上方和下方。

与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:

本发明的技术方案中,提供具有起伏单元的透光起伏结构,然后在透光起伏结构上制作相应的干涉反射复合膜层,此时,干涉反射复合膜层能够获得透光起伏结构的相应微观起伏结构,进而使得干涉反射复合膜层能够对不同角度的光线均起到相应的选择通过作用,有效滤除角度较为分散的环境光,并保持对背光源光线的高透过作用,从而使得相应的光学指纹传感器能够接收到大量有效的背光源光线用于指纹图像识别,使得光学指纹传感器模组具有良好的指纹识别性能。

进一步,通过干涉反射复合膜层自身各尺寸大小的控制,可以使得干涉反射复合膜层的每个位置均是特别针对较小角度范围光线的高透过(或高滤除)层结构,从而进一步提高干涉反射复合膜层的抗环境光的作用,以及对背光源光线的透过作用,并能够进一步减少膜层的层数和总厚度,降低相应的工艺难度,降低工艺成本。

附图说明

图1光学指纹传感器模组的叠层结构示意图;

图2是本发明实施例所提供的光学指纹传感器模组剖面结构示意图;

图3是图2所示光学指纹传感器模组中光学指纹传感器和背光源的俯视示意图;

图4是图2所示光学指纹传感器模组中部分起伏结构和干涉反射复合膜层的第一种放大结构示意图;

图5是图2所示光学指纹传感器模组中部分起伏结构和干涉反射复合膜层的第二种放大结构示意图;

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