[发明专利]垂直非易失性存储器装置

说明书

公开了一种垂直非易失性存储器装置，所述垂直非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和接触区；第一堆叠结构和第二堆叠结构，在基底上沿第一方向彼此间隔开，第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每个包括顺序地堆叠在基底上的第一导电线、第二导电线和第三导电线；第一阵列线，位于基底的接触区上，并将第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每个的第一导电线和第二导电线电连接；以及第二阵列线，位于基底的接触区上，并将第一堆叠结构的第三导电线电连接到第二堆叠结构的第三导电线。第一阵列线和第二阵列线位于距基底的顶表面同一高度处。

技术领域

发明构思涉及非易失性存储器装置及其制造方法。更具体地，发明构思涉及包括晶体管的垂直串和多层金属布线的垂直非易失性存储器装置及其制造方法。

背景技术

半导体工业采用旨在使传统平面非易失性存储器装置的集成最大化的各种技术。这些技术包括设计单元晶体管的结构，使得两块或更多块数据可以存储在装置的单个单元中。尽管采用这些技术，但是由于所有布线层位于单个平面(层)中的事实，传统平面闪存装置的集成可以增加的程度受到限制。

因此，正在开发垂直存储器装置以提供更高的集成度。在垂直存储器装置中，芯片的多个单元晶体管在垂直(或竖直)方向上排列。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，垂直非易失性存储器装置可以包括：基底，包括单元阵列区和接触区；第一堆叠结构和第二堆叠结构，在基底上沿第一方向彼此间隔开，第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每个包括顺序地堆叠在基底上的第一导电线、第二导电线和第三导电线；第一阵列线，位于基底的接触区上，并将第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每个的第一导电线和第二导电线电连接；以及第二阵列线，位于基底的接触区上，并将第一堆叠结构的第三导电线电连接到第二堆叠结构的第三导电线。第一阵列线和第二阵列线可以位于距基底的顶表面同一高度处。

根据本发明构思的示例性实施例，垂直非易失性存储器装置可以包括：第一堆叠结构，位于基底上，并包括顺序地堆叠在基底上的第一导电线、第二导电线、第三导电线和第四导电线；第一阵列线，将第一导电线与第二导电线彼此电连接；以及第二阵列线，将第三导电线与第四导电线彼此电连接。第一阵列线和第二阵列线可以位于距基底的顶表面同一高度处。

附图说明

通过下面结合附图的对发明构思的优选实施例的详细描述，发明构思将被更清楚地理解，在附图中：

图1是根据发明构思的垂直非易失性存储器装置的实施例的示意性布线图；

图2是图1中示出的垂直非易失性存储器装置的实施例的示意性透视图；

图3是图1中示出的垂直非易失性存储器装置的实施例的示意性平面图；

图4是根据发明构思的垂直非易失性存储器装置的另一实施例的示意性布线图；

图5是图4中示出的垂直非易失性存储器装置的实施例的示意性透视图；

图6是图4中示出的垂直非易失性存储器装置的实施例的一个层的示意性平面图；

图7是图4中示出的垂直非易失性存储器装置的实施例的示意性平面图；

图8是根据发明构思的垂直非易失性存储器装置的另一实施例的示意性透视图；

图9是图8中示出的垂直非易失性存储器装置的实施例的一个层的示意性平面图；

图10是图8中示出的垂直非易失性存储器装置的实施例的示意性平面图；

图11和图12是根据发明构思的其它实施例的垂直非易失性存储器装置的示意性平面图；

图13是根据发明构思的另一实施例的垂直非易失性存储器装置的示意性平面图；