[发明专利]晶体硅提纯集成系统

权利要求书

1.一种晶体硅提纯集成系统，其特征在于，包括：第一破碎装置、酸洗装置、原料硅矿热炉、第二破碎装置、除碳装置、电子束熔炼装置；第一破碎装置将粗硅料破碎至30～150目，以获得第一破碎料；酸洗装置将第一破碎装置生产出的第一破碎料进行酸洗，以去除第一破碎料表面的杂质；原料硅矿热炉采用埋弧冶炼方式进行渣洗熔炼酸洗装置酸洗除杂后的第一破碎料以获得原料硅；第二破碎装置对原料硅矿热炉生产出的原料硅进行破碎，以获得第二破碎料，第二破碎料的目数为30～150目；除碳装置将第二破碎装置生产出的第二破碎料进行煅烧，以降低第二破碎料中的碳含量，其中煅烧后的第二破碎料中的碳含量小于0.4ppm；电子束熔炼装置包括控制装置、加料装置、炉体、设置在炉体内的两个熔炼坩埚、一个水冷铜坩埚及对应设置在熔炼坩埚、水冷铜坩埚上方电子束枪，控制装置控制加料装置、熔炼坩埚、水冷铜坩埚、电子束枪工作，两个熔炼坩埚平行设置，水冷铜坩埚设置在两个熔炼坩埚下方，且位于两个熔炼坩埚之间，加料装置设置在炉体上，以在控制装置的控制下将预定量的煅烧后的第二破碎料加入到两个熔炼坩埚中，控制装置控制两个熔炼坩埚上方的电子束枪对两个熔炼坩埚中的第二破碎料进行熔炼除磷，控制装置控制两个熔炼坩埚将熔融的原料先后交替流入水冷铜坩埚，控制装置控制水冷铜坩埚上方的电子束枪以面积变化的面扫描方式及按照第一预定功率对流入水冷铜坩埚中的原料进行扫描升温，以保证在水冷铜坩埚内有一个预定厚度的熔池，利用熔池与结晶的物料之间的固液界面来使杂质不断的向熔池内汇集、挥发；其中，面积变化的面扫描方式是指调整电子束扫描面扩大、缩小的频率，使水冷铜坩埚中被扫描的区域不断由大至小的变换，来实现对熔区移动速度和结晶速度的控制；在水冷铜坩埚内的原料流满后，控制装置控制水冷铜坩埚上方的电子束枪以面积不变的面扫描方式且功率逐渐缩小，来降低功率及将硅锭中的杂质集中至硅锭顶部中心，待水冷铜坩埚中的硅锭冷却后出锭，获得多晶硅半成品，将多晶硅半成品的底部和顶部杂质富集区锯切，以获得多晶硅；其中，控制装置控制加料装置将预定量的煅烧后的第二破碎料加入到两个熔炼坩埚中，控制装置控制两个熔炼坩埚上方的电子束枪对两个熔炼坩埚中的第二破碎料进行熔炼除磷的具体过程为：控制装置控制加料装置给每个熔炼坩埚中每次加入单位量的第二破碎料，控制装置控制电子束枪按照第一预定功率对单位量的第二破碎料熔炼第一预定时间段，再向熔炼坩埚中加入单位量的第二破碎料并控制电子束枪按照第一预定功率对第二次加入的单位量的第二破碎料熔炼第一预定时间段，直至控制装置计算出加入熔炼坩埚中的第二破碎料的量与预定量相对应后，再熔炼第二预定时间段后，控制装置控制两个熔炼坩埚将熔融的原料先后交替流入水冷铜坩埚，两个熔炼坩埚流料的时间相差第三预定时间段。

2.如权利要求1所述的晶体硅提纯集成系统，其特征在于：预定量为24kg，单位量的硅料为2kg，第一预定功率为300KW，第一预定时间段为２分钟，第二预定时间段为6分钟，第三预定时间段为15分钟。

3.如权利要求2所述的晶体硅提纯集成系统，其特征在于：熔池的厚度为3～5cm。

4.如权利要求3所述的晶体硅提纯集成系统，其特征在于：在水冷铜坩埚内的原料流满后，控制装置控制水冷铜坩埚上方的电子束枪以面积不变的面扫描方式且功率逐渐缩小，来降低功率及将硅锭中的杂质集中至硅锭顶部中心时，控制装置控制水冷铜坩埚上方的电子束枪功率逐渐缩小，直至功率缩小至5kw，面扫描方式的扫描面积为直径10cm的圆。

5.如权利要求4所述的晶体硅提纯集成系统，其特征在于：原料硅矿热炉包括炉体、电极、设置在炉体内壁上的白刚玉浇注料耐火层和电极糊层，电极糊层位于炉体内壁与白刚玉浇注料耐火层之间、采用电极糊制成的炉底、设置在炉底上的电极桩，电极桩位于电极的正下方，电极与电极桩配合以对炉体内的第一破碎料进行渣洗熔炼以获得原料硅，炉体的中部开设流渣通道，利用流渣通道使渣液在炉体内的硅渣界面上方高温区流出，并通过对流渣通道的封堵，实现定量流渣和堵渣。

6.如权利要求5所述的晶体硅提纯集成系统，其特征在于：电极与电极桩配合以对炉体内的第一破碎料进行渣洗熔炼以获得原料硅的具体过程为：将第一破碎料与硅渣按质量比1:1进行混合，以获得硅渣混合料；在电极下方先填200kg硅料，起弧熔化后，定量投加硅渣混合料，采用“埋弧冶炼”方式进行熔炼；待炉体内的混合料熔化完全，确保在高温状态下通过流渣通道放出渣液，然后不断的加渣料熔炼，不断的放出渣液，完成对第一破碎料的渣洗作业，并获得原料硅。