[发明专利]具有低失真的跨导放大器

权利要求书

1.一种电路，包括：

电压源；

耦接到所述电压源的参考电阻器；

输入级，所述输入级包括

耦接到所述参考电阻器的运算放大器；

第一晶体管和与所述第一晶体管布置为达灵顿对的第二晶体管，所述第一晶体管被耦接以便被所述运算放大器驱动；以及

耦接到所述达灵顿对和所述运算放大器的偏置电流源；

输出级，所述输出级包括已接地负载电阻器；以及

一对电流镜，每个电流镜将所述输入级耦接到所述输出级，其中所述达灵顿对将所述运算放大器连接到所述一对电流镜。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述电流镜中的一个或多个还包括第一双极结型晶体管阵列和第二双极结型晶体管阵列。

3.根据权利要求2所述的电路，其中提供到所述输出级的电流等于所述电流镜的所述第一双极结型晶体管阵列和所述第二双极结型晶体管阵列的偏置电流的差。

4.根据权利要求1所述的电路，其中被布置作为所述达灵顿对的所述第一晶体管和所述第二晶体管共同具有单位增益。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述运算放大器的正端子接地，并且所述运算放大器被配置为在所述运算放大器的负输入端子处提供虚地。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述电压源为第一电压源，并且所述运算放大器的输入端子分别直接耦接到第二电压源和第三电压源。

7.根据权利要求1所述的电路，其中被耦接以便被所述运算放大器驱动的所述第一晶体管为双极结型晶体管。

8.根据权利要求1所述的电路，其中被耦接以便被所述运算放大器驱动的所述第一晶体管为场效应晶体管。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入级为将电流挽取到所述负载电阻器中的挽输入级。

10.根据权利要求1所述的电路，其中所述一对电流镜为一对电流衰减镜。

11.根据权利要求1所述的电路，其中所述一对电流镜为一对电流增益镜。

12.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路包括线性跨导放大器。

13.一种操作电路的方法，包括：

通过将输入电压源耦接到参考电阻器来形成输入电流源；

经由具有输出的运算放大器将所述输入电流源耦接到虚地；

将所述运算放大器的输出耦接到包括第一晶体管和第二晶体管的达灵顿对；

将所述达灵顿对耦接到提供偏置电流的电流镜；以及

将所述电流镜耦接到用于将电流提供到负载的输出节点。

14.根据权利要求13所述的方法，其中被布置作为所述达灵顿对的所述第一晶体管和所述第二晶体管共同具有单位增益。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述电流镜包括第一双极结型晶体管阵列和第二双极结型晶体管阵列。

16.根据权利要求15所述的方法，其中提供到输出级的电流等于所述电流镜的所述第一双极结型晶体管阵列和所述第二双极结型晶体管阵列的偏置电流的差。