[发明专利]掩膜板及其制作方法

权利要求书

1.一种掩膜板制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成过渡层，所述过渡层的材料为导电材料；

在所述过渡层上形成掩膜板定义层，所述掩膜板定义层上具有多个开口，以暴露出所述过渡层，且所述掩膜板定义层的材料为绝缘材料；

以所述掩膜板定义层为掩膜，以所述掩膜板定义层上的多个开口暴露出的所述过渡层为电极，采用电铸工艺，在掩膜板定义层的所述开口内形成电铸膜；

去除所述掩膜板定义层，保留所述电铸膜；

采用机械剥离工艺，将所述电铸膜剥离所述过渡层，得到掩膜板；

其中，所述电铸膜与所述过渡层之间的附着力，小于所述过渡层与所述基板之间的附着力，且所述电铸膜与所述过渡层之间的附着力，小于所述电铸膜与所述基板之间的附着力。

2.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的材料为导电材料。

3.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的材料的布氏硬度大于100HV。

4.根据权利要求3所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的材料为金属。

5.根据权利要求4所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的材料为不锈钢。

6.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述过渡层的材料为软金属、石墨烯、导电聚合物、或透明金属氧化物。

7.根据权利要求6所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述软金属为布氏硬度在20HV-58HV的金属。

8.根据权利要求7所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述软金属为金、银、锡、铅、镁、或铟。

9.根据权利要求6所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述导电聚合物为含有共轭π键的高分子聚合物。

10.根据权利要求9所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述导电聚合物为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、或聚双炔。

11.根据权利要求6所述的掩膜板制作方法，其特征在于，透明金属氧化物为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、氧化锑锡ATO、或氧化铝锌AZO。

12.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述电铸膜的材料为镍、镍钴合金、或铁镍合金。

13.根据权利要求8所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述过渡层的材料为软金属、导电聚合物、或透明金属氧化物时，所述在所述基板上形成过渡层具体为，采用溅射工艺或电沉积工艺，在所述基板上形成所述过渡层，所述过渡层的厚度在0.1μm～0.5μm。

14.根据权利要求6所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述过渡层的材料为石墨烯时，所述在所述基板上形成过渡层具体为，采用旋涂工艺或化学气相沉积工艺，在所述基板上形成所述过渡层，所述过渡层的厚度小于2μm。

15.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，掩膜板定义层的材料为光刻胶。

16.一种采用权利要求1-15任一项所述的掩膜板方法制作而成的掩膜板。