[发明专利]基于多层电路工艺的基片集成波导的Gysel型功分器

权利要求书

1.一种基于多层电路工艺的基片集成波导的Gysel型功分器，其特征在于，功分器由基片集成波导作为载体，基片集成波导包括上层金属面(1)、中间介质板(2)和下层金属面(3)，中间介质板(2)位于上层金属面(1)和下层金属面(3)之间，上层金属面(1)和下层金属面(3)之间设置两排金属柱线列(4)；每排金属柱线列均包括若干金属柱，每个金属柱均与上层金属面(1)和下层金属面(3)相接触；

所述功分器包括五个端口，其中端口1为公共口，用于合成或分配信号；端口2和端口3为分口，端口4和端口5为负载口；

每个端口均采用多层基片集成波导层叠设置，层层之间通过耦合缝隙进行耦合。

2.根据权利要求1所述的基于多层电路工艺的基片集成波导的Gysel型功分器，其特征在于，每个端口位置的多层基片集成波导的金属柱线列在垂直方向重合。

3.根据权利要求1所述的基于多层电路工艺的基片集成波导的Gysel型功分器，其特征在于，多层基片集成波导之间通过PCB多层工艺或者LTCC、LCP进行层叠。

4.根据权利要求1所述的基于多层电路工艺的基片集成波导的Gysel型功分器，其特征在于，单层基片集成波导的厚度为0.05mm到2.032mm。

5.根据权利要求4所述的基于多层电路工艺的基片集成波导的Gysel型功分器，其特征在于，单层基片集成波导的厚度为0.05mm、0.1mm、0.125mm、0.254mm、0.508mm、0.762mm、1.016mm或1.524mm。

6.根据权利要求1所述的基于多层电路工艺的基片集成波导的Gysel型功分器，其特征在于，中间介质板的介电常数为2-20。

7.根据权利要求1所述的基于多层电路工艺的基片集成波导的Gysel型功分器，其特征在于，金属柱线列4中每个金属柱的半径为0.05～1mm，每两个金属柱之间的距离为0.1～4mm。