[发明专利]刻蚀终点检测设备固定装置在审
申请号: | 201710358099.6 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN106971956A | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 胡冬冬;李娜;车东晨;许开东 | 申请(专利权)人: | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京得信知识产权代理有限公司11511 | 代理人: | 袁伟东 |
地址: | 221300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 终点 检测 设备 固定 装置 | ||
技术领域
本发明涉及刻蚀终点检测技术领域,具体涉及一种刻蚀终点检测设备固定装置。
背景技术
随着集成电路中器件集成密度及复杂度的不断增加,对半导体工艺过程的严格控制显得尤为重要。目前,半导体工业中的等离子体刻蚀机常用的等离子体源有电感耦合等离子体、变压器耦合等离子体以及电子自旋共振等离子体等。这些等离子体源所产生的等离子体具有较高的刻蚀速率,如果工艺控制不合理的话,出现的过度刻蚀很容易造成下一层材料的损伤,进而造成器件失效。因此,必须对刻蚀过程中的一些参数,如刻蚀用的化学气体、刻蚀时间、刻蚀速率,以及刻蚀选择比等参数进行严格控制。此外,刻蚀机状态的细微改变,如反应腔内气体流量、温度、气体的回流状态等,都会影响对刻蚀参数的控制。因此,必须经常监控刻蚀过程中的各种参数变化,以确保刻蚀过程中刻蚀的一致性。终点检测设备可以实现刻蚀过程的实时监测。
终点检测设备根据其原理需配合观察窗进行使用,因此其固定方式是很重要的一个影响因素。目前的固定方式存在外在因素影响多,可调节范围小等缺点,因此需要设计一种提高监测准确性和效率的固定装置。
发明内容
为了解决上述问题,本发明公开一种刻蚀终点检测设备固定装置,包括:固定套筒,呈圆筒状,一端设有平面固定端,以上下可调节的方式固定于反应腔的观察窗盖;探头固定座,呈圆筒状,一端封闭且中心开有圆孔,可沿所述固定套筒内壁滑动;以及终点检测探头,一端安装在所述探头固定座的圆孔处,另一端从所述探头固定座座内伸出。
优选为,所述反应腔的观察窗盖外周开设有螺纹孔,所述固定套筒的平面固定端对应开设有长孔。
优选为,所述长孔的长度根据所述终点检测探头的上下调节的高度范围设定。
优选为,所述固定套筒设置有紧固件,当所述终点检测探头调节到合适的探测距离后,对所述探头固定座进行固定。
优选为,所述紧固件为开设在所述固定套筒外壁的螺纹通孔和螺栓,当所述终点检测探头调节到合适的探测距离后,使用螺栓对称穿过所述螺纹通孔,将所述探头固定座夹紧在该位置。
优选为,所述螺纹通孔为两个,当所述终点检测探头距离反应腔观察窗较近时使用靠近所述反应腔观察窗的螺纹通孔,当距离所述反应腔观察窗较远时使用远离所述反应腔观察窗的螺纹通孔。
优选为,其材质为铝或不锈钢。
附图说明
图1是刻蚀终点检测设备固定装置的立体结构示意图。
图2是刻蚀终点检测设备固定装置的剖面结构示意图。
图3是反应腔观察窗的立体结构示意图。
图4是固定套筒的立体结构示意图。
图5是探头固定座的立体结构示意图。
图6是探测距离L=0时探头固定座与固定套筒相对位置的示意图。
图7是探测距离L=L2时探头固定座与固定套筒相对位置的示意图。
图8是刻蚀终点检测设备固定装置的使用效果图。
附图标记:
1~反应腔的观察窗盖;11~固定用螺纹孔;12~调节用螺纹孔;2~固定套筒;21~平面固定端;22~长孔;23~靠近反应腔观察窗的螺纹通孔;24~远离反应腔观察窗的螺纹通孔;3~探头固定座;31~圆孔;4~终点检测探头;5~反应腔观察窗玻璃;6~晶圆;7~反应腔。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语"上"、"下"、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
图1是刻蚀终点检测设备固定装置的立体示意图。图2是刻蚀终点检测设备固定装置的剖面结构示意图。如图1和图2所示,刻蚀终点检测设备固定装置包括固定套筒2、探头固定座3和终点检测探头4。材质为铝、不锈钢或其他不透光的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造