[发明专利]波长转换装置及其制备方法

权利要求书

1.一种波长转换装置，包括依次设置的发光层、反射层、连接层和导热基板层，其特征在于，所述发光层为氧化铝共晶发光层，所述氧化铝共晶发光层为石榴石结构的(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺与氧化铝形成的共晶发光层；所述反射层为纯银烧结而成的银反射层。

2.根据权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述石榴石结构的(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺与氧化铝形成的共晶发光层中氧化铝的摩尔比例大于40％。

3.根据权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述发光层与所述反射层之间设置有氧化铝膜层。

4.根据权利要求1或3所述的波长转换装置，其特征在于，所述发光层的厚度为0.005-5mm；所述反射层的厚度为1-100um；所述连接层的厚度为0.005-0.5mm；所述导热基板的厚度为0.1-5mm。

5.根据权利要求4所述的波长转换装置，其特征在于，所述连接层的孔隙率小于50％。

6.根据权利要求5所述的波长转换装置，其特征在于，所述连接层为焊锡膏或者预成型焊片回流焊接形成，所述焊锡膏为金锡，银锡，铋锡或铅锡中的任意一种或多种的组合。

7.根据权利要求5所述的波长转换装置，其特征在于，所述连接层为低温烧结银浆料烧结形成。

8.根据权利要求5所述的波长转换装置，其特征在于，所述导热基板为金属基板或陶瓷基板，所述导热基板上设置有镍金保护层。

9.根据权利要求8所述的波长转换装置，其特征在于，所述导热基板为氮化铝，碳化硅，氮化硅或氧化铝中的任意一种或多种组合的陶瓷基板，所述陶瓷基板和所述镍金保护层之间设置有钛过渡层。

10.根据权利要求7所述的波长转换装置，其特征在于，所述导热基板为平板结构或带鳍片结构。

11.一种波长转换装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：提供Al₂O₃-(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺共晶发光材料，并对所述Al₂O₃-(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺共晶发光材料进行预处理形成共晶发光层；

步骤S2：在所述共晶发光层上涂覆银粉和有机体的混合浆料后烧结形成纯银的反射层；

步骤S3：提供镀镍金的导热基板，将步骤S2形成的反射层设置在镀镍金的导热基板上，经处理形成连接层。

12.根据权利要求11所述的波长转换装置的制备方法，其特征在于，步骤S1的预处理包括将Al₂O₃-(Lu,Y,Gd,Tb)₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce³⁺共晶发光材料双面研磨抛光，一面镀增透膜或者表面粗化。

13.根据权利要求11所述的波长转换装置的制备方法，其特征在于，步骤S2中采用的银粉的粒径范围是0.01-20um。