[发明专利]一种高折射率耐硫化TFT‑LCD封装硅胶

说明书

技术领域

本发明涉及封装硅胶技术领域，具体涉及一种高折射率耐硫化TFT-LCD封装硅胶。

背景技术

LED产业的兴起，给节能减排、能源环保带来了新的希望，展现出了极其广阔的应用前景。随着LED产业尤其是照明产业的迅速发展，LED逐步向大功率方向发展，因此对封装材料提出了更多更全面的要求。高折射率LED封装硅胶因为内应力小，耐老化、耐高低温性能好，高光通量等性能成为重要的封装材料，被广泛用于LED封装领域。

随着工业的发展，空气中的含硫量日益增加，如果封装材料选用不当，空气中的硫会穿过封装材料或其粘接界面，对支架的银层进行腐蚀，形成黑色硫化银，导致光衰急剧增加。因此这就给封装材料带来了新的挑战，必须提高封装材料的耐硫化性能。因此配方设计上大多采用提高苯基硅树脂含量，提高交联密度等方法提高耐硫化，这样的设计，虽然耐硫化性能提高，但封装材料内应力过高，会导致材料的韧性降低，反应在封装后导致高低温冷热冲击死灯、封装材料高低温后易开裂等现象发生。

发明内容

本发明旨在提供了一种高折射率耐硫化TFT-LCD封装硅胶。

本发明提供如下技术方案：

一种高折射率耐硫化TFT-LCD封装硅胶，其是由如下重量份数的原料组成：甲基苯基乙烯基硅树脂72-84份、乙烯基树脂36-44份、扩链剂端含氢二苯基聚硅氧烷18-22份、聚硅氧烷A 30-40份、聚硅氧烷B 28-34份、含有环烯烃结构的有机硅8-18份、铂系催化剂3-6份、粘接剂4-7份、交联剂3-5份、抑制剂2-4份、表面改性的纳米钻石3-5份、固化促进剂2-3份和固化抑制剂3-5份。

一种高折射率耐硫化TFT-LCD封装硅胶，其制备方法包括以下步骤：

(1)将甲基苯基乙烯基硅树脂、乙烯基树脂、扩链剂端含氢二苯基聚硅氧烷、聚硅氧烷A、聚硅氧烷B混合均匀，将混合物加热到45℃进行分散处理15-25min；

(2)将上述分散处理后的混合物加热至55-60℃，边搅拌边依次加入含有环烯烃结构的有机硅、铂系催化剂、粘接剂、交联剂、抑制剂、表面改性的纳米钻石、固化促进剂和固化抑制剂，充分混合均匀，然后在真空条件下进行脱泡，获得初制胶；

(3)将所述初制胶进行固化处理，得到TFT-LCD封装硅胶，再冷却至45℃时，放入点胶机上进行点胶，保持在45℃，再在150℃温度下预热60min以上进行除湿，除湿后3-4h内封胶；

(4)封胶处理后在70℃的温度下烘烤2-3h，然后将温度提高到150℃烘烤3-4h即得所述TFT-LCD封装硅胶。

所述甲基苯基乙烯基硅树脂分子式为

(ViMe2SiO1/2)x(PhSiO3/2)y，其中，所述Me为甲基，Vi为乙烯基，Ph为苯基,x：y＝1:4-5。

所述交联剂为含有侧基氢的有机氢聚硅氧烷，结构式为：

所述铂系催化剂为氯铂酸的醇溶液、铂-乙烯基硅氧烷配合物、铂烯烃配合物中的任意一种，其中铂含量为3600-4500ppm。

所述表面改性的纳米钻石由以下方法制备得到：将白油、硅氧烷偶联剂和纳米钻石混合，所述硅氧烷偶联剂和纳米钻石的质量比为2：1，在60-80℃下搅拌均匀，分离得到固形物，在120-150℃，-0.1-0.99Mpa下烘干60-120min。

所述含有环烯烃结构的有机硅的结构式如下：

所述固化促进剂为氯铂酸和四甲基二乙烯基二硅氧烷的配合物，所述固化抑制剂为乙炔基环己醇。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的TFT-LCD封装硅胶除了具有优异的光学结构，高的折光率，而且耐硫化性能强，密封性能、耐老性能好，耐候性能好，抗黄变，易脱泡，便于操作等优点。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1一种高折射率耐硫化TFT-LCD封装硅胶，其是由如下重量份数的原料组成：甲基苯基乙烯基硅树脂72份、乙烯基树脂36份、扩链剂端含氢二苯基聚硅氧烷18份、聚硅氧烷A 30份、聚硅氧烷B 28份、含有环烯烃结构的有机硅8份、铂系催化剂3份、粘接剂4份、交联剂3份、抑制剂2份、表面改性的纳米钻石3份、固化促进剂2份和固化抑制剂3份。