[发明专利]低噪放大器、用于低噪放大器的接收器和方法

说明书

本发明涉及一种低噪放大器，其包括：被分别配置成接收正输入电压和负输入电压的第一和第二输入端口，第一和第二谐振电路，第一和第二晶体管；其中，第一晶体管的第一电压输出端口被连接到第二晶体管，并且第二谐振电路的第二电压输出端口被连接到第一晶体管，第一和第二电压输出端口分别通过第一和第二电容器被交叉耦合到第一晶体管和第二晶体管的第二节点；第二晶体管的第二节点通过第三电容器和第一晶体管的第三节点被连接到第二输入端口，并且第一晶体管的第二节点通过第四电容器和第二晶体管的第三节点被连接到第一输入端口。该低噪放大器具备低功耗和高增益，能够极大地降低噪声系数。

技术领域

本发明涉及一种模拟电路，更具体地说，本发明涉及但不限于一种低噪放大器、用于低噪放大器中的接收器和方法。

背景技术

超外差RF(射频)接收器包括低噪放大器、被连接到低噪放大器(LNA)的混频器、被连接到混频器的滤波器、和被连接到滤波器的模数转换器。由于混频器具有相对较高的噪声系数，为了降低该噪声系数，混频器的前端通常具有低噪放大器。LNA需要与天线匹配(常规为50欧姆ohm)，并且LNA还需要高增益以抑制混频器的噪声。LNA还需要低噪系统以降低LNA电路本身对系统贡献的噪声。进一步地，LNA需要低功耗以增加RF系统的电池寿命，和增加高线性度以减少干扰对期望信号的影响。因此，希望提供一种具有低噪系统、低功耗和高增益的LNA的新结构。

发明内容

根据本发明的一个实施例，低噪放大器(LNA)包括：分别被配置为接收正输入电压和负输入电压的第一和第二输入端口(Vinn，Vinp)；第一谐振电路；第二谐振电路；第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)；其中，第一谐振电路的第一电压输出端口(Vop)被连接到第二晶体管的第一节点；第二谐振电路的第二电压输出端口(Von)被连接到第一晶体管的第一节点；其中第一电压输出端口和第二电压输出端口分别经由第一电容器和第二电容器被交叉耦合到第一晶体管的第二节点和第二晶体管的第二节点；其中第二晶体管的第二节点通过第三电容器和第一晶体管的第三节点被连接到第二输入端口，并且第一晶体管的第二节点通过第四电容器和第二晶体管的第三节点被连接到第一输入端口。

优选地，该低噪放大器LNA还包括第五电容器，第六电容器，第一电感器，第二电感器，第一电阻器，第二电阻器；

其中，第五电容器和第一电感器被并联连接到电源Vcc和第一电压输出端口；以及

第六电容器和第二电感器被并联连接到电源Vcc和第二电压输出端口。

优选地，该低噪放大器LNA还包括第五电容器，第六电容器，第一电感器，第二电感器，第一电阻器，第二电阻器；

其中，第五电容器、和第一电感器和第一电阻器之间的串联连接被并联连接到电源Vcc和第一电压输出端口，以及

第六电容器、和第二电感器和第二电阻器之间的串联连接被并联连接到电源Vcc和第二电压输出端口。

优选地，第一晶体管包括NMOS晶体管并且第二晶体管包括NMOS晶体管，

其中，第一晶体管的第一节点包括漏极，第一晶体管的第二节点包括栅极，第一晶体管的第三节点包括源极；

其中，第二晶体管的第一节点包括漏极，第二晶体管的第二节点包括栅极，第二晶体管的第三节点包括源极；以及

第一谐振电路在不同于第一电压输出端口的端口上被连接到电源，并且第二谐振电路在不同于第二电压输出端口的端口上被连接到电源。

优选地，第一晶体管包括PMOS晶体管并且第二晶体管包括PMOS晶体管，

其中，第一晶体管的第一节点包括漏极，第一晶体管的第二节点包括栅极，第一晶体管的第三节点包括源极；

其中，第二晶体管的第一节点包括漏极，第二晶体管的第二节点包括栅极，第二晶体管的第三节点包括源极；以及