[发明专利]低噪放大器、用于低噪放大器的接收器和方法

权利要求书

1.一种低噪放大器LNA，其特征在于，包括：

第一输入端口Vinp和第二输入端口Vinn，被分别配置成接收正输入电压和负输入电压；

第一谐振电路，第二谐振电路，第一晶体管M1和第二晶体管M2；

其中，所述第一谐振电路的第一电压输入端口Vop被连接到所述第二晶体管的漏极，并且所述第二谐振电路的第二电压输出端口Von被连接到所述第一晶体管的漏极，

其中，所述第一电压输出端口和所述第二电压输出端口分别通过第一电容器和第二电容器被交叉耦合到所述第一晶体管的第二节点和所述第二晶体管的第二节点；

其中，所述第二晶体管的第二节点通过第三电容器和所述第一晶体管的第三节点被连接到所述第二输入端口，并且所述第一晶体管的第二节点通过第四电容器和所述第二晶体管的第三节点被连接到所述第一输入端口；

所述第一电容器和第二电容器引入的电容抵消由Cgd引入的电容，使所述第一输入端口 Vinp和第二输入端口 Vinn上的电压基本无损的传输到所述第一晶体管和第二晶体管的栅极的输入端子上，并且，通过所述第一电容器和第二电容器之间的交叉耦合获取输出端的有效负电阻器，所述有效负电阻器用于抵消第一电阻器的电阻，以提高输出阻抗并且增加电压增益。

2.如权利要求1所述的低噪放大器LNA，其特征在于，还包括第五电容器，第六电容器，第一电感器，第二电感器，第一电阻器，第二电阻器；

其中，所述第五电容器和所述第一电感器被并联连接到电源Vcc和所述第一电压输出端口；以及

所述第六电容器和所述第二电感器被并联连接到所述电源Vcc和所述第二电压输出端口。

3.如权利要求1所述的低噪放大器LNA，其特征在于，还包括第五电容器，第六电容器，第一电感器，第二电感器，第一电阻器，第二电阻器；

其中，所述第五电容器、和所述第一电感器和所述第一电阻器之间的串联连接被并联连接到电源Vcc和所述第一电压输出端口，以及

所述第六电容器、和所述第二电感器和所述第二电阻器之间的串联连接被并联连接到所述电源Vcc和所述第二电压输出端口。

4.如权利要求1所述的低噪放大器LNA，其特征在于，所述第一晶体管包括NMOS晶体管并且所述第二晶体管包括NMOS晶体管，

其中，所述第一晶体管的第一节点包括漏极，所述第一晶体管的第二节点包括栅极，所述第一晶体管的第三节点包括源极；

其中，所述第二晶体管的第一节点包括漏极，所述第二晶体管的第二节点包括栅极，所述第二晶体管的第三节点包括源极；以及

所述第一谐振电路在不同于所述第一电压输出端口的端口上被连接到电源，并且所述第二谐振电路在不同于所述第二电压输出端口的端口上被连接到所述电源。

5.如权利要求1所述的低噪放大器LNA，其特征在于，所述第一晶体管包括PMOS晶体管并且所述第二晶体管包括PMOS晶体管，

其中，所述第一晶体管的第一节点包括漏极，所述第一晶体管的第二节点包括栅极，所述第一晶体管的第三节点包括源极；

其中，所述第二晶体管的第一节点包括漏极，所述第二晶体管的第二节点包括栅极，所述第二晶体管的第三节点包括源极；以及

所述第一谐振电路在不同于所述第一电压输出端口的端口上被接地，并且所述第二谐振电路在不同于所述第二电压输出端口的端口上被接地。

6.一种接收器，其特征在于，包括：

如权利要求1所述的低噪放大器，并且被配置成输出电压信号；

本地振荡器，被配置成输出频率信号；

混频器，被耦合到所述低噪放大器和所述本地振荡器，并且被配置成通过对所述输出电压信号和所述频率信号进行混频，以生成混频信号；

滤波器，被耦合到所述混频器并且被配置成通过对所述混频信号进行滤波以生成滤波信号；

模数转换器，被耦合到所述滤波器并且被配置成通过转换所述滤波信号以生成数字信号。