[发明专利]一种神经刺激电极及其制造方法

权利要求书

1.一种神经刺激电极制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：对半导体衬底进行扩散掺杂处理，使其正背面良性导通；

S2：然后在所述半导体衬底的正面刻蚀出电极阵列结构；

S3：向所述电极阵列结构的沟槽内填充玻璃；

S4：再将所述半导体衬底的正面与一衬片键合；

S5：接着对所述半导体衬底的背面进行减薄，直至完全露出所述电极阵列结构中的玻璃下表面为止；

S6：再对所述半导体衬底的背面进行金属电极图形化；

S7：最终将所述半导体衬底与衬片剥离，形成神经刺激电极。

2.如权利要求1所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，在步骤S1中，所述半导体衬底通过P或B扩散掺杂使其正背面良性导通，所述电极阵列结构整体可均匀间隔设置、不规则排布或两者结合。

3.如权利要求1所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：在所述半导体衬底的正面旋涂光刻胶层，再通过曝光和显影工艺形成电极阵列图形，接着对所述电极阵列图形进行深槽刻蚀，形成电极阵列结构。

4.如权利要求1-3任一项所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：在所述半导体衬底正面，通过丝网印刷或SOG涂布工艺在电极阵列结构间的沟槽中填充玻璃。

5.如权利要求4所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，在所述步骤S3 中，玻璃填充后，通过氢氟酸漂洗工艺对所述玻璃进行刻蚀处理，露出电极阵列结构中的凸出刺激电极。

6.如权利要求5所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，还可对所述凸出刺激电极进行边角圆滑处理，所述边角圆滑处理具体为：通过CF₄/O₂混合气体各向同性刻蚀一定时间；再对所述凸出刺激电极表面进行电镀或溅射生物相容性金属处理。

7.如权利要求1所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，所述步骤S4具体为：在所述半导体衬底与衬片上的结合面的其中一面或两面形成粘合层，将所述半导体衬底和所属衬片粘合在一起。

8.如权利要求1所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，所述步骤S6具体为：对所述半导体衬底的背面进行金属溅射形成金属表面，在所述金属表面旋涂光刻胶，并通过曝光和显影工艺打开所需去除区域，通过湿法腐蚀或干法刻蚀工艺去除金属层，并去除表面光刻胶，形成金属电极。

9.如权利要求1所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，所述步骤S6还可为：对所述半导体衬底的背面进行旋涂负性光刻胶或反转胶，曝光显影形成倒角结构，然后溅射金属形成金属表面，再采用化学液剥离的方法，形成金属电极。

10.如权利要求1所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，所述步骤S7具体为：对所述半导体衬底进行加热处理，将衬片与所述半导体衬底分离，加热时的温度范围为150～300℃。

11.如权利要求7-10任一项所述的神经刺激电极制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，其厚度为100～1000μm。

12.一种采用权利要求1-11任一项所述神经刺激电极制造方法制造的神经刺激电极，其特征在于，包括电极阵列结构，所述电极阵列结构包括阵列分布的电极衬底，每个所述电极衬底的正面设置有凸出刺激电极，每个所述电极衬底背面形成金属电极，所述电极衬底之间填充玻璃固定及绝缘。