[发明专利]一种自带VFTO抑制功能的开关

说明书

本发明涉及一种自带VFTO抑制功能的开关，自带VFTO抑制功能的开关包括筒体，筒体内设有动端触座、静端触座，所述开关还包括用于抑制VFTO的磁环单元，筒体的筒壁上于动端触座和/或静端触座的径向外侧设有供母线连接的转接端子，所述转接端子与相应的动端触座或静端触座之间通过径向导电杆连接，所述磁环单元套设在所述径向导电杆上，磁环单元的数量能够在径向导电杆上沿筒体的轴向或径向增加，大大提高了磁环布置的灵活性，合理利用筒体内部的空间，产生的VFTO经过相应的动端触座或静端触座直接传递到径向导电杆上的磁环单元上，抑制效果较好，而且磁环单元布置的位置距离隔离断口较近，有利于减少磁环使用量。

技术领域

本发明涉及一种自带VFTO抑制功能的开关。

背景技术

隔离开关一般包括筒体和设置在筒体内部的动端触座和静端触座，动端触座上设有动触头，静端触座上设有静触头，动触头和静触头分别与母线连接以在动触头动作时实现线路的连通和隔离。

隔离开关在气体绝缘金属封闭开关设备（GIS）中的每一次分合闸操作都会发生数十次甚至数百次的复燃，触头间隙两端的电压在几个纳秒内突然跌落，电压陡波在GIS 内不断产生行波，发生复杂的折射、反射和叠加，产生特快速瞬态过电压（VFTO）。VFTO是一种特殊的过电压，其主要有三个特点：一是频带宽，可从零到上百兆赫；二是陡度大，上升时间可低至数纳秒；三是幅值高，可达3p.u，由于VFTO对GIS自身和邻近设备的绝缘危害极大，GIS中必须采取可靠的VFTO抑制措施。

现有的VFTO抑制方法中，有通过加装阻尼电阻实现的，通过在隔离开关的断口两端并联电阻，减小断口两端的电压，从而减少反复击穿的次数和减小击穿电压，这种方法能够有效的抑制VFTO，但是，电阻不能固定并联在开关断口的两端，当完成切合操作后，电阻必须撤离，而且并联在开关断口的两端会占用大量的隔离开关内部空间，增加了隔离开关的制造和使用成本。

另一种VFTO的抑制方法是在GIS回路中安装用于抑制VFTO的磁环，而且磁环位置距离隔离开关的断口越近，其抑制VFTO的效果越明显，磁环安装在隔离开关的内部的抑制效果较佳，达到同样的抑制效果所需要的磁环数量也最少。例如，公开号为CN1258923A的中国专利申请文件中公开了一种抑制全封闭组合电器特快速暂态过电压的方法，其通过在隔离开关或断路器的断口两端处的导电杆上套上一组磁环来抑制VFTO的产生。但是，由于筒体内部用于安装磁环的空间有限，加上磁环的安装会受到与筒体的绝缘距离的限制，因此筒体内磁环的安装数量有限，在需要采用较多的磁环来满足抑制VFTO的需求时，现有的磁环将无法满足使用需求，如果将磁环设置在筒体外，由于距离隔离开关的断口更远，则需要设置更多的磁环来满足VFTO抑制效果，同样会导致体积增大、成本提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种自带VFTO抑制功能的开关，以解决现有技术中的磁环无法在筒体内有效布置的问题。

为实现上述目的，本发明一种自带VFTO抑制功能的开关的技术方案是：

一种自带VFTO抑制功能的开关，包括筒体，筒体内设有动端触座、静端触座，所述开关还包括用于抑制VFTO的磁环单元，筒体的筒壁上于动端触座和/或静端触座的径向外侧设有供母线连接的转接端子，所述转接端子与相应的动端触座或静端触座之间通过径向导电杆连接，所述磁环单元套设在所述径向导电杆上。

磁环单元包括两个以上磁环，各磁环沿径向导电杆的径向嵌套设置或者沿径向导电杆的轴向并排设置。

磁环单元包括沿径向导电杆的径向嵌套设置的磁环，还包括沿径向导电杆的轴向并排设置的磁环。

磁环单元与径向导电杆之间设置有绝缘材料。

各所述磁环均封装在各自的绝缘壳体内。