[发明专利]一种自带VFTO抑制功能的开关

权利要求书

1.一种自带VFTO抑制功能的开关，包括筒体，筒体内设有动端触座、静端触座，所述开关还包括用于抑制VFTO的磁环单元，其特征在于：所述筒体的筒壁上于动端触座和/或静端触座的径向外侧设有供母线连接的转接端子，所述转接端子与相应的动端触座或静端触座之间通过径向导电杆连接，所述磁环单元套设在所述径向导电杆上，所述磁环单元包括沿径向导电杆的径向嵌套设置的磁环，还包括沿径向导电杆的轴向并排设置的磁环，磁环单元内的磁环沿径向导电杆的轴向方向并排排列布置磁环组，在每个磁环组中均具有一个大径磁环和一个小径磁环，每个磁环组中的大径磁环与小径磁环嵌套布置，各磁环均封装在各自的绝缘壳体内。

2.根据权利要求1所述的自带VFTO抑制功能的开关，其特征在于：所述磁环单元与径向导电杆之间设置有绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的自带VFTO抑制功能的开关，其特征在于：所述径向导电杆包括导电杆主体，导电杆主体靠近转接端子的一端设有与转接端子连接的接头，另一端固定在相应的动端触座或静端触座上，所述接头压接在磁环单元靠近转接端子的一侧。

4.根据权利要求1所述的自带VFTO抑制功能的开关，其特征在于：所述磁环单元的外部套设有覆盖在整个磁环单元的屏蔽筒。

5.根据权利要求4所述的自带VFTO抑制功能的开关，其特征在于：所述径向导电杆远离转接端子的一端设有外翻沿，所述屏蔽筒悬伸固定在外翻沿上。

6.根据权利要求4所述的自带VFTO抑制功能的开关，其特征在于：所述屏蔽筒靠近转接端子的端部沿径向向外膨凸而形成鼓形结构。

7.根据权利要求1所述的自带VFTO抑制功能的开关，其特征在于：所述筒体的筒壁上设有沿筒体的径向延伸并与所述筒体内部贯通的转接筒，所述转接端子包括设置在转接筒外端的盆式绝缘子和设置在盆式绝缘子上的转接头，所述转接头位于转接筒所围成的空间内。