[发明专利]一种供电电路在审
| 申请号： | 201710333727.5 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN108879990A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 朱斯忠;徐宝华;朱文广 | 申请（专利权）人： | 中惠创智无线供电技术有限公司 |
| 主分类号： | H02J50/12 | 分类号： | H02J50/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 264003 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振环 供电电路 发射功率 协同 电源模块 发射系统 技术采用 能量输出 发射 申请 | ||
本申请提供了一种供电电路，本发明中所述电源模块与每个所述谐振环连接，多个所述谐振环协同工作。多个谐振环协同工作，发射功率是多个谐振环发射的功率之和，相比于现有技术采用一个谐振环的工作方式，能够提高谐振环的发射功率，进而能够提高供电电路的发射系统的能量输出。
技术领域
本发明涉及无线供电领域，更具体的说，涉及一种供电电路。
背景技术
在无线供电领域，供电电路的发射系统一般包括谐振环和电源，电源为谐振环提供能量。
供电电路的发射系统的能量输出大小不仅与电源的功率有关，还与谐振环的发射功率有关，即谐振环的发射功率会影响整个发射系统的能量输出。但是受到谐振环的材料的限制，目前无法绕制出具有较大发射功率的谐振环，因此，如何提高谐振环的发射功率来提高整个发射系统的能量输出成为一个需要解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种供电电路，以解决目前无法通过提高谐振环的发射功率来提高整个发射系统的能量输出的问题
为解决上述技术问题，本发明采用了如下技术方案：
一种供电电路，包括电源模块和谐振模块；
其中，所述谐振模块包含多个谐振环；其中，每个所述谐振环的谐振电容的电容参数相同、且每个所述谐振环的谐振线圈的线圈参数相同；
所述电源模块与每个所述谐振环连接；
多个所述谐振环协同工作、且多个所述谐振环的工作频率相同。
优选地，所述电源模块包括多个子电源模块；
其中，每个所述子电源模块与一个所述谐振环连接，每个所述子电源模块连接的所述谐振环不同；
多个所述子电源模块同步工作。
优选地，所述子电源模块为绝缘栅双极型晶体管IGBT管，所述谐振环为串联谐振环；
其中，每个所述IGBT管的集电极与所述IGBT管连接的所述串联谐振环的谐振电容连接有所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；
每个所述IGBT管的发射极与所述IGBT管连接的所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；
多个所述IGBT管的门极输入的驱动信号为互补驱动信号。
优选地，所述子电源模块为IGBT管，所述谐振环为并联谐振环；
其中，所述IGBT管的集电极与所述IGBT管连接的所述并联谐振环的谐振电容的一端连接；
所述IGBT管的发射极与所述IGBT管连接的所述并联谐振环的谐振电容的另一端连接；
多个所述IGBT管的门极输入的驱动信号为互补驱动信号。
优选地，所述子电源模块为金属-氧化层半导体场效晶体管MOSFET管，所述谐振环为串联谐振环；
其中，每个所述MOSFET管的漏极与所述MOSFET管连接的所述串联谐振环的谐振电容连接有所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；
每个所述MOSFET管的源极与所述MOSFET管连接的所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；
多个所述MOSFET管的栅极输入的驱动信号为互补驱动信号。
优选地，所述子电源模块为MOSFET管，所述谐振环为并联谐振环；
其中，所述MOSFET管的漏极与所述MOSFET管连接的所述并联谐振环的谐振电容的一端连接；
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