[发明专利]一种供电电路在审
| 申请号： | 201710333727.5 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN108879990A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 朱斯忠;徐宝华;朱文广 | 申请（专利权）人： | 中惠创智无线供电技术有限公司 |
| 主分类号： | H02J50/12 | 分类号： | H02J50/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 264003 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振环 供电电路 发射功率 协同 电源模块 发射系统 技术采用 能量输出 发射 申请 | ||
1.一种供电电路，其特征在于，包括电源模块和谐振模块；
其中，所述谐振模块包含多个谐振环；其中，每个所述谐振环的谐振电容的电容参数相同、且每个所述谐振环的谐振线圈的线圈参数相同；
所述电源模块与每个所述谐振环连接；
多个所述谐振环协同工作、且多个所述谐振环的工作频率相同。
2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述电源模块包括多个子电源模块；
其中，每个所述子电源模块与一个所述谐振环连接，每个所述子电源模块连接的所述谐振环不同；
多个所述子电源模块同步工作。
3.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为绝缘栅双极型晶体管IGBT管，所述谐振环为串联谐振环；
其中，每个所述IGBT管的集电极与所述IGBT管连接的所述串联谐振环的谐振电容连接有所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；
每个所述IGBT管的发射极与所述IGBT管连接的所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；
多个所述IGBT管的门极输入的驱动信号为互补驱动信号。
4.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为IGBT管，所述谐振环为并联谐振环；
其中，所述IGBT管的集电极与所述IGBT管连接的所述并联谐振环的谐振电容的一端连接；
所述IGBT管的发射极与所述IGBT管连接的所述并联谐振环的谐振电容的另一端连接；
多个所述IGBT管的门极输入的驱动信号为互补驱动信号。
5.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为金属-氧化层半导体场效晶体管MOSFET管，所述谐振环为串联谐振环；
其中，每个所述MOSFET管的漏极与所述MOSFET管连接的所述串联谐振环的谐振电容连接有所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；
每个所述MOSFET管的源极与所述MOSFET管连接的所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；
多个所述MOSFET管的栅极输入的驱动信号为互补驱动信号。
6.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为MOSFET管，所述谐振环为并联谐振环；
其中，所述MOSFET管的漏极与所述MOSFET管连接的所述并联谐振环的谐振电容的一端连接；
所述MOSFET管的源极与所述MOSFET管连接的所述并联谐振环的谐振电容的另一端连接；
多个所述MOSFET管的栅极输入的驱动信号为互补驱动信号。
7.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为半桥驱动电路，所述谐振环为串联谐振环；
其中，每个所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的发射极和左桥臂的下部晶体管的集电极分别与所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；
每个所述半桥驱动电路的右桥臂的第一电容未接电源的一端和右桥臂的第二电容未接地的一端分别与所述串联谐振环的谐振线圈未连接所述串联谐振环的谐振电容的一端连接；
每个所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的第一驱动信号经过一个第一栅极电阻后输入到所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的门极；
每个所述半桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的第二驱动信号经过一个第二栅极电阻后输入到所述半桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的门极；
所述第一驱动信号与所述第二驱动信号为互补信号。
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