[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明的技术课题是提高对等离子体处理装置的多个腔室用的电极供电的效率。一实施方式的等离子体处理装置提供多个腔室。多个上部电极分别设置在多个腔室内的空间之上。多个下部电极分别设置在多个腔室内的空间之下。变压器具有一次线圈和多个二次线圈。一次线圈与高频电源连接。多个二次线圈的一端与多个上部电极分别连接。多个二次线圈的另一端与多个下部电极分别连接。多个二次线圈能够与一次线圈同轴地配置。多个二次线圈各自的自感比一次线圈的自感小。

技术领域

本发明的实施方式涉及等离子体处理装置。

背景技术

在半导体器件等的电子器件的制造中，为了进行蚀刻、成膜等的处理，使用等离子体处理装置。作为等离子体处理装置的一种，已知有电容耦合型的等离子体处理装置。电容耦合型的等离子体处理装置一般包括腔室主体、上部电极和下部电极。上部电极和下部电极配置成使由腔室主体提供的腔室内的空间介于它们之间。在该等离子体处理装置中，对腔室供给气体，在上部电极和下部电极之间形成高频电场。通过该高频电场激发气体，生成等离子体。通过来自该等离子体的离子和/或自由基，进行被加工物的处理。

另外，作为电容耦合型的等离子体处理装置的一种，专利文献1中记载有使用单一高频电源，在多个腔室内形成高频电场的等离子体处理装置。专利文献1所记载的等离子体处理装置包括多个上部电极、多个下部电极、一次线圈和多个二次线圈。多个上部电极分别设置在多个腔室内的空间之上，多个下部电极分别设置在多个腔室内的空间之下。一次线圈与高频电源连接。一次线圈和多个二次线圈电磁耦合。多个二次线圈的一端分别与多个上部电极连接。多个二次线圈的另一端分别与多个下部电极连接。多个可变电容器分别连接在多个二次线圈的另一端与多个下部电极之间。上述可变电容器为了减小包含二次线圈的闭合电路的阻抗而设置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-89876号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

在专利文献1所记载的类型的等离子体处理装置、即使用单一高频电源在多个腔室内形成高频电场的等离子体处理装置中，期望提高对多个腔室用的电极供电的效率。

解决技术问题的技术方案

在一个方式中提供一种电容耦合型的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括至少一个腔室主体、多个上部电极、多个下部电极、高频电源、变压器、多个第1电容器和多个第2电容器。至少一个腔室主体提供相互分离的多个腔室。此外，多个腔室可以由一个腔室主体提供，也可以由多个腔室主体分别提供。至少一个腔室主体接地。多个上部电极分别设置在多个腔室内的空间之上。多个下部电极分别设置在多个腔室内的空间之下。变压器具有一次线圈和多个二次线圈。一次线圈与高频电源电连接。多个第1电容器分别连接在多个二次线圈的一端与多个上部电极之间。多个第2电容器分别连接在多个二次线圈的另一端与多个下部电极之间。一次线绕中心轴线延伸。多个二次线圈能够与一次线圈同轴地配置。多个二次线圈各自的自感比一次线圈的自感小。

在一个方式所涉及的等离子体处理装置中，多个二次线圈各自的自感比一次线圈的自感小，因此，二次线圈的电流值与一次线圈的电流值之比、即电流比大。因此，在该等离子体处理装置中，对多个腔室用的电极供电的效率高。

在一实施方式中，多个第2电容器的一端分别与多个下部电极中的对应的下部电极连接，多个第2电容器的另一端接地。多个第1电容器和多个第2电容器是固定电容器。在多个二次线圈的另一端与多个下部电极之间，作为电容器仅设置有多个第2电容器。在该实施方式中，通过多个第2电容器，多个下部电极的电位与接地电位直流地分离。