[发明专利]晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710332290.3 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN107453751B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 国友大裕 申请(专利权)人: 日本电波工业株式会社
主分类号: H03L1/04 分类号: H03L1/04
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 日本东京*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶体振荡器 制造 方法
【说明书】:

本发明提供一种晶体振荡器以及晶体振荡器的制造方法。本发明的目的在于使具有温度传感器的晶体振荡器的频率精度提高。本发明提供晶体振荡器(1),包括:晶体振动片(20);半导体芯片(30),具有用以使所述晶体振动片(20)振荡的振荡电路(321)、及连接于所述振荡电路(321)且设置于所述晶体振动片(20)的一侧的面的第一凸块(343);以及温度传感器元件(40),接合于所述第一凸块(343)。而且,所述半导体芯片(30)具有多个引线接合用焊垫(35),所述多个引线接合用焊垫(35)设置于所述晶体振动片(20)侧的面的所述第一凸块(343)的两侧。

技术领域

本发明涉及一种晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法。

背景技术

以前,作为具备晶体振动片的晶体振荡器,已知具有晶体振动片、温度传感器及温度补偿电路的TCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator,温度补偿型晶体振荡器)。而且,还已知具有晶体振动片、温度传感器、加热器电路及温度控制电路的OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator,带恒温槽的晶体振荡器)(例如参照专利文献1)。

图9是现有的晶体振荡器800的剖面图。现有的晶体振荡器800在封装体(package)810内封入晶体振动片820、半导体芯片(chip)830。晶体振动片820利用导电连接部850固定于封装体810。半导体芯片830在其内部具有温度传感器元件840、及包含振荡电路832的内部电路831。温度传感器元件840隔着SiO2、SiN、聚酰亚胺保护膜而与晶体振动片820热耦合。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2010-124348号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在如TCXO及OCXO等那样的基于由温度传感器检测到的温度来控制振荡电路的晶体振荡器中,为了提高振荡频率的精度,而要求以尽可能高的精度测定晶体振动片附近的温度。然而,现有的晶体振荡器800中,温度传感器元件840与晶体振动片820之间构成有多种热传递差的物质,因而热传递模型变得复杂,难以提高晶体振动片附近的温度的检测精度。其结果为,因频率温度补偿的误差扩大,所以产生了振荡信号的频率精度降低的问题。

因此,本发明鉴于这些方面而完成,其目的在于提高具有温度传感器的晶体振荡器输出的振荡信号的频率精度。

[解决问题的技术手段]

本发明的第一实施方式中提供一种晶体振荡器,包括:晶体振动片;半导体芯片,具有:用以使所述晶体振动片振荡的振荡电路、及连接于所述振荡电路且设置于所述晶体振动片的一侧的面的第一凸块;以及温度传感器,接合于所述第一凸块。

所述半导体芯片也可包括:多个引线接合用焊垫,所述多个引线接合用焊垫设置于所述晶体振动片的一侧的面的所述第一凸块的两侧。

所述半导体芯片还可包括:设置于所述晶体振动片的一侧的面的第二凸块,所述晶体振荡器还可包括:接合于所述第二凸块的加热器。

所述半导体芯片还可包括:导电连接部,所述导电连接部用以将所述晶体振动片固定于覆盖所述温度传感器的位置。

所述晶体振荡器还可包括:绝热性构件,所述绝热性构件设置于所述半导体芯片的设置着所述第一凸块的面的相反侧的面。

本发明的第二实施方式中提供一种晶体振荡器的制造方法,包括:准备半导体晶片的工序;在所述半导体晶片形成多个第一凸块的工序;将所述半导体晶片分割为各自包含所述第一凸块的多个半导体芯片的工序;使温度传感器接合于所述第一凸块的工序;以及在使所述温度传感器接合的工序之后,将晶体振动片固定于覆盖所述温度传感器的位置的工序。

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