[发明专利]晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710332290.3 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN107453751B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 国友大裕 申请(专利权)人: 日本电波工业株式会社
主分类号: H03L1/04 分类号: H03L1/04
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 日本东京*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶体振荡器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种晶体振荡器,其特征在于包括:

晶体振动片;

半导体芯片,具有:用以使所述晶体振动片振荡的振荡电路、连接于所述振荡电路且设置于所述晶体振动片的一侧的面的第一凸块、及设置于所述晶体振动片的一侧的面的第二凸块;

温度传感器,接合于所述第一凸块;以及

两个加热器,接合于所述第二凸块,且固定于所述半导体芯片的上表面中的所述温度传感器的两侧。

2.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其特征在于:

所述半导体芯片包括:多个引线接合用焊垫,

所述多个引线接合用焊垫设置于所述晶体振动片的一侧的面的所述第一凸块的两侧。

3.根据权利要求1或2所述的晶体振荡器,其特征在于:

所述半导体芯片还包括:导电连接部,

所述导电连接部用以将所述晶体振动片固定于覆盖所述温度传感器的位置。

4.根据权利要求1或2所述的晶体振荡器,其特征在于还包括:

绝热性构件,

所述绝热性构件设置于所述半导体芯片的设置着所述第一凸块的面的相反侧的面。

5.一种晶体振荡器的制造方法,其特征在于包括:

准备半导体晶片的工序;

在所述半导体晶片形成多个第一凸块的工序;

将所述半导体晶片分割为各自包含所述第一凸块的多个半导体芯片的工序;

使温度传感器接合于所述第一凸块的工序;

在使所述温度传感器接合的工序之后,将晶体振动片固定于覆盖所述温度传感器的位置的工序;

在所述半导体晶片的形成着所述多个第一凸块的面形成第二凸块的工序;以及

使加热器接合于所述第二凸块的工序,

其中,使所述加热器固定于所述半导体晶片的上表面中的所述温度传感器的两侧。

6.根据权利要求5所述的晶体振荡器的制造方法,其特征在于还包括:

在所述半导体晶片的形成着所述多个第一凸块的面的相反侧的面形成绝热性构件的工序。

7.根据权利要求5所述的晶体振荡器的制造方法,其特征在于还包括:

在所述半导体晶片的一个面形成绝热性构件的工序,

在形成所述多个第一凸块的工序中,在形成着所述绝热性构件的面的相反侧的面形成所述多个第一凸块。

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