[发明专利]用于制造光电转换设备的方法有效
申请号: | 201710327951.3 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN107359210B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 桑原英司;浮贺谷信贵 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/18;H01L23/498;H01L27/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宋岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 光电 转换 设备 方法 | ||
公开了用于制造光电转换设备的方法。用于制造光电转换设备的方法,包括以下步骤:将包括设置有光电转换元件的半导体层的第一基板固定到第二基板;从第一基板的与第二基板相反的一侧使固定到第二基板的第一基板薄化;将第一基板固定到设置有半导体元件的第三基板,使得第三基板位于第一基板的与第二基板相反的一侧;以及在将第一基板固定到第三基板的步骤之后移除第二基板。
技术领域
本技术涉及光电转换设备。
背景技术
已经提出了其中设置有光电转换元件的光接收基板和设置有半导体元件的电路基板被层叠的光电转换设备。预期的是,层叠多个基板将改善光电转换设备的性能。
日本专利公开No.2011-138841公开了背侧照明固态成像设备,其中,具有光电转换元件的第一基板和具有外围电路部分的第二基板被层叠。
层叠多个基板增加了光电转换设备的厚度,并因此需要使基板薄化(thin)。在日本专利公开No.2011-138841中,执行光电二极管形成构件的薄化,并且通过薄化而新形成的表面用作光接收表面,并因此容易产生由于薄化而引起的噪声。因此,光电转换设备的性能的改善不充分。
发明内容
本公开描述了光电转换设备的性能的改善。
实施例的一个方面是用于制造光电转换设备的方法,该方法包括以下步骤:将包括设置有光电转换元件的半导体层的第一基板固定到第二基板;从第一基板的与第二基板相反的一侧使固定到第二基板的第一基板薄化;将第一基板固定到设置有半导体元件的第三基板,使得第三基板位于第一基板的与第二基板相反的一侧;以及在将第一基板固定到第三基板的步骤之后移除第二基板。
根据以下参考附图对示例性实施例的描述,进一步的特征将变得清楚。
附图说明
图1A至图1F是示出了用于制造光电转换设备的方法的示意图。
图2A至图2E是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例1的示意图。
图3A至图3D是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例1的示意图。
图4A至图4C是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例1的示意图。
图5A至图5C是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例1的示意图。
图6A和图6B是示出了用于制造光电转换设备的方法的变形例的示意图。
图7A至图7D是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例2的示意图。
图8A至图8C是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例2的示意图。
图9A和图9B是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例2的示意图。
图10A至图10G是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例3的示意图。
图11A至图11D是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例3的示意图。
图12A至图12C是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例3的示意图。
图13A至图13E是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例4的示意图。
图14A至图14C是示出了用于制造光电转换设备的方法的示例性实施例4的示意图。
具体实施方式
现在将参考附图来描述实施例。在以下的描述和附图中,相同的附图标记被分配给对于多个图共同的部件。共同的部件可以通过交叉引用多个图来描述。对于分配了相同的附图标记的部件的描述可以被省略。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的