[发明专利]用于回旋加速器的梯度校正器有效

专利信息
申请号: 201710320606.7 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN107371316B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: W·克里文;S·扎雷姆巴 申请(专利权)人: 离子束应用股份有限公司
主分类号: H05H13/00 分类号: H05H13/00;H05H7/04
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张华卿;郑霞
地址: 比利时*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要:
搜索关键词: 用于 回旋加速器 梯度 校正
【权利要求书】:

1.一种用于回旋加速器(1)的磁极(2),包括至少3个丘扇块(3)和相同数目的包括底表面(4B)的谷扇块(4),所述丘扇块和谷扇块围绕中心轴线Z交替地分布,每个丘扇块包括:

(a)由以下各项限定的上表面(3U):

-上外围边缘(3up),所述上外围边缘以第一上远端和第二上远端(3ude)为边界,并且被限定为所述上表面的、位置离所述中心轴线最远的边缘;

-上中心边缘(3uc),所述上中心边缘以第一上近端和第二上近端(3upe)为边界并且被限定为所述上表面的、位置离所述中心轴线最近的边缘;

-第一上侧边缘(3ul),所述第一上侧边缘将所述第一上远端与所述第一上近端相连接;

-第二上侧边缘(3ul),所述第二上侧边缘将所述第二上远端与所述第二上近端相连接;

(b)第一侧表面和第二侧表面(3L),每个侧表面从所述第一上侧边缘和所述第二上侧边缘横向地延伸至位于丘扇块的任一侧的对应谷扇块的底表面,从而将第一下侧边缘和第二下侧边缘(3ll)限定为使侧表面与相邻底表面相交的边缘,所述第一下侧边缘和所述第二下侧边缘各自具有位置离所述中心轴线最远的下远端;

(c)外围表面(3P),所述外围表面从所述上外围边缘延伸到下外围线(3lp),所述下外围线被限定为以所述第一下侧边缘和所述第二下侧边缘的下远端(3lde)为边界的段;

其中,至少一个丘扇块的上外围边缘包括相对于所述中心轴线限定凹陷的凹形部分,所述凹陷至少部分地在对应的丘扇块的外围表面的一部分上延伸,

其特征在于,

所述凹陷总体上是楔形的,其中第一会聚线和第二会聚线以会聚角θ延伸远离所述上外围边缘,所述会聚角包括在70°与130°之间,以及

凹陷深度(H10)与所述中心轴线和丘扇块的外围边缘之间的最大距离(Lh)的比率H10/Lh包括在2%与20%之间,其中所述凹陷深度(H10)被限定为由第一凹陷远点和第二凹陷远点(10rdp)与凹陷近点(10rpp)形成的三角形的高度。

2.根据权利要求1所述的磁极,其中,所述会聚角θ包括在80°与110°之间。

3.根据权利要求2所述的磁极,其中,所述凹陷具有远离所述上外围边缘的会聚部分,所述会聚部分具有以下几何形状之一:

·形成三角形凹陷的急拐角;

·形成梯形凹陷的直边缘;或

·形成拱形凹陷的圆化边缘。

4.根据权利要求1所述的磁极,其中,所述上外围边缘具有方位角长度Ah,并且其中,所述凹形部分在所述上外围边缘的所述方位角长度的3%与30%之间延伸。

5.根据权利要求1所述的磁极,其中所述凹陷与所述第一上侧边缘和所述第二上侧边缘分离开。

6.根据权利要求1所述的磁极,其中所述凹陷与所述第一上侧边缘相邻。

7.根据权利要求1所述的磁极,其中,所述凹陷延伸过所述外围表面的与所述外围表面的高度的一部分ζ相对应的一部分,所述高度是平行于所述中心轴线在所述上外围边缘与所述下外围线之间测得的,其中,所述部分ζ包括在25%与75%之间。

8.根据权利要求1所述的磁极,其中,所述外围表面形成与所述上外围边缘相邻的斜切面。

9.根据权利要求1所述的磁极,其中,所述上外围边缘是圆弧,所述圆弧的中心相对于所述中心轴线偏移、并且半径不超过从所述中心轴线到所述上外围边缘的中点的距离的85%,所述中点到所述第一上远端和第二上远端的距离相等。

10.根据权利要求1所述的磁极,其中,丘扇块的数目N为3个、4个、5个、6个、7个或8个。

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