[发明专利]一种蒸发源及蒸镀装置有效
申请号: | 201710318354.4 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN107012432B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 李晓康;何瑞亭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/54 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸发槽 内板 坩埚本体 喷嘴 蒸发源 坩埚盖 喷出 倾斜设置 蒸镀装置 槽口处 通孔 蒸汽 覆盖 基板表面蒸镀 嵌套 充分混合 均一性 基板 蒸镀 开口 环绕 外围 | ||
本发明实施例提供一种蒸发源和蒸镀装置。该蒸发源包括:至少一个喷嘴、坩埚盖和坩埚本体;所述喷嘴设置在所述坩埚盖上;所述坩埚盖覆盖在所述坩埚本体的开口上;所述坩埚本体包括:第一蒸发槽和至少一个第二蒸发槽,所述第二蒸发槽嵌套环绕在所述第一蒸发槽的外围;所述第一蒸发槽的槽口处覆盖第一内板,所述第一内板上设置有第一通孔;所述第二蒸发槽的槽口处覆盖第二内板,所述第二内板上设置有第二通孔,所述第二内板的外表面朝向所述第一蒸发槽倾斜设置。本发明实施例将第二内板朝向第一蒸发槽倾斜设置,使得从第二蒸发槽喷出的蒸汽可与第一蒸发槽喷出的蒸汽充分混合均匀后,从喷嘴中喷出并蒸镀到基板上,提高基板表面蒸镀的材料的均一性。
技术领域
本发明涉及蒸发源技术领域,特别是涉及一种蒸发源及蒸镀装置。
背景技术
自从1987年邓青云发现异质节OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管),OLED就得到迅速发展。与LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)相比,OLED显示器具有轻薄,低功耗,高对比度,高色域,可以实现柔性显示等优点,是下一代显示器的发展趋势。OLED显示包括PMOLED(Passive-matrix organic light emitting diode,被动式矩阵有机发光二极管)和AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,主动式矩阵有机发光二极管)显示,其中AMOLED显示的实现方式有LTPS(Low TemperaturePoly-silicon,低温多晶硅)背板+FMM Mask(Fine Metal Shadow Mask,精细金属掩膜)方式,或者,Oxide(氧化物)背板+WOLED(White Organic Light-Emtting Diode,白光有机发光二极管)+彩膜的方式。前者主要应用于小尺寸面板,对应手机和移动应用;后者主要应用于大尺寸面板,对应Monitor(监控器)和电视等应用。现在LTPS背板+FMM Mask的方式已经初步成熟,实现量产。
精细金属掩膜是通过蒸镀方式将OLED材料按照预定程序蒸镀到LTPS背板上,利用FMM上的图形,形成红绿蓝像素。蒸镀是在真空腔体中进行,目前量产蒸镀红绿蓝发光膜层材料通常用线性蒸发源和线性坩埚,如图1和2所示,线性坩埚的坩埚本体11为长方体中空结构。坩埚本体11的开口覆盖有坩埚盖12。坩埚盖12上设置有多个通孔,每个通孔连接一个喷嘴13。加热丝14围绕坩埚本体11的外表面对坩埚进行加热。一个蒸发源通常需要三个线性并列的线性坩埚,两边坩埚蒸镀红绿蓝发光膜层主体材料,中间坩埚蒸镀掺杂材料,如图3所示,三个坩埚靠角度控制板15将材料喷到基板16上的相同位置来控制掺杂的均一性。角度控制板15会将大部分材料遮挡,造成材料浪费。由于喷嘴13为圆形,如图4所示,喷出材料蒸镀到平整的基板16上会产生中心密集四周散的不均匀现象,发光层主体材料和掺杂材料会掺杂不均一,影响产品性能。
发明内容
本发明实施例提供一种蒸发源及蒸镀装置,以解决现有技术在蒸镀时发光层主体材料和掺杂材料会掺杂不均一的问题。
第一方面,提供一种蒸发源,包括:至少一个喷嘴、坩埚盖和坩埚本体;所述喷嘴设置在所述坩埚盖上;所述坩埚盖覆盖在所述坩埚本体的开口上;所述坩埚本体包括:第一蒸发槽和至少一个第二蒸发槽,所述第二蒸发槽嵌套环绕在所述第一蒸发槽的外围;所述第一蒸发槽的槽口处覆盖第一内板,所述第一内板上设置有第一通孔;所述第二蒸发槽的槽口处覆盖第二内板,所述第二内板上设置有第二通孔,所述第二内板的外表面朝向所述第一蒸发槽倾斜设置。
进一步,所述第二蒸发槽的槽口的端面高于所述第一蒸发槽的槽口的端面;并且,若所述第二蒸发槽的数量为两个以上,则位于外侧的所述第二蒸发槽的槽口的端面比相邻的位于内侧的所述第二蒸发槽的槽口的端面高。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710318354.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类